化合物半導体の結晶成長と電気的・光学的性質に関する研究

飛行時間法、時間分解フォトルミネッセンス法等を用いて電気的・光学的過渡応答特性からキャリアダイナミクス、輸送等について研究しています。特にⅡ-Ⅵ族を中心としたワイドギャップ半導体の輸送特性に興味を持っています。

工学部
電気電子工学科

工学研究科

電気電子工学専攻(修士課程)

工学専攻(博士後期課程)

教授

工学博士

鈴木 和彦
( スズキ カズヒコ )

学位

工学博士:北海道大学:1990年

研究分野

半導体物性

キーワード

化合物半導体/キャリア輸送/タイムオブフライト測定/時間分解分光

研究・学術活動

  • 論文(84件)
  • 会議論文(6件)
  • 紀要(21件)
  • 講演(137件)
  • 著書(1件)
  • 作品(0件)
  • 受賞(0件)
  • その他(2件)
著者 タイトル 発行元 ページ 発表年月日
Kazuhiko Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto Effect of intense optical excitation on the internal electric field evolution in CdTe gamma-ray detectors J. Electronic Materials 47 8 4332-4337 2018/3
Yoshihiro Ichinohe, Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki, Hiroshi Saito Anomalous Elongation of c-axis of AlN on Al2O3 Grown by MBE using NH3-Cluster Ions Journal of Crystal Growth 454 111-113 2016/11
Yoshihiro Ichinohe, , Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki, Hiroshi Saito Anomalous elongation of c-axis of GaN on Al2O3 grown by MBE using NH3-cluster ions Journal of Crystal Growth 436 12-15 2016/2
Satoru Seto and Kazuhiko Suzuki Photoluminescence of high-resistivity ZnTe crystals doped with gallium and indium phys. stat. sol. (c) 13 7-9 490-493 2016/2
Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada and Satoru Seto Electric field inhomogeneity in ohmic-type CdTe detectors measured by time-of-flight technique phys. stat. sol. (c) 13 7-9 656-660 2016/2
K. Suzuki, M. Shorohov, T. Sawada, and S. Seto Time-of-Flight Measurements on TlBr Detectors IEEE Trans. Nucl. Sci. 62 2 433-436 2015/4
Kazuhiko Suzuki, Yoshihiro Ichinohe, Takayuki Sawada, Kazuaki Imai,Satoru Seto Time-of-flight measurements on Schottky CdTe nuclear detectors physica status solidi (c) 11 7-8 1337-1340 2014/3
K. Suzuki, T. Sawada, S. Seto Temperature-Dependent Measurements of Time-of-Flight Current Waveforms in Schottky CdTe Detectors IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 4 2840-2844 2013/8
K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai, S. Seto Time-of-Flight Measurements on Schottoky CdTe Detectors IEEE Transactions on Nuclear Science 59 4 1522-1525 2012/8
K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai Effect of DC bias field on the Time-of-Flight Current Waveforms of CdTe and CdZnTe Detectors IEEE Transactions on Nuclear Science 58 4 1958-1963(ISSN 0018-9499) 2011/8
K. Suzuki and H. Shiraki Evaluation of Surface Recombination Velocity on CdTe Radiation Detectors by Time-of-Flight Measurements IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 4 1712 - 1716(ISSN 0018-9499) 2009/8
K. Kyoh, Y. Ichinohe, K. Honma, Na. Kimura, No. Kimura, T.Sawada, K. Suzuki, H. Saito, Yu. V. Korostein The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment Journal of Crystal Growth 311 7 2096-2098(ISSN 0022-0248) 2009/3
Y. Ichinohe, K. Kyoh, K. Honma, T. Sawada, K. Suzuki, No. Kimura, Na. Kimura, K. Imai Optical properties of ZnSe on GaN (0 0 0 1) grown by MBE Journal of Crystal Growth 311 7 2106-2108(ISSN 0022-0248) 2009/3
S. Seto, S. Yamad, K. Suzuki, and Y. Yoshino Emissions from deep levels in hydrothermal grwon ZnO substarates Journal of Korean Physical Society 53 5 2959 - 2962(ISSN 0374-4884) 2008/11
G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai Photoluminescence of modulation-doped ZnSe:Te grown by using MBE Journal of Korean Physical Society 53 5 2901 - 2904(ISSN 0374-4884) 2008/11
T. Karita, K. Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto, T. Sawada, and K. Imai MBE Growth of ZnSe Films on Lattice-Matched InxGa1-xAs Substrates Journal of Korean Physical Society 53 1 150 - 153(ISSN 0374-4884) 2008/7
G. Shigaura, M. Kanamori, Y. Ichinohe, Na Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai Photoluminescence of periodic alloy of ZnSeTe grown by MBE Journal of Korean Physical Society 53 1 179 - 182(ISSN 0374-4884) 2008/7
T. Sawada, K. Tanahashi, K. Ise, K. Suzuki, K. Kitamori, N. Kimura, K. Imai, S.-W. Kim, and T. Suzuki Suppression of gate leakage current in i-AlGaN/GaN hetero structures by insertion of anodic Al2O3 layer and influence of thermal annealing on channel electrons phys. stat. sol. (c) 4 7 2686 - 2689(ISSN 1610-1634) 2007/5
G. Shigaura, M. Ohashi, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki and K. Imai Deep emissions of MBE-ZnTe on tilted GaAS substrate J. Cryst. Growth 301-302 297 - 300(ISSN 0022-0248) 2007/1
M. Ohashi, G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Y. Chikarayumi, Y. Sasaki, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai Light up-conversion mechanism of ZnSe-ZnTe superlattices J. Cryst. Growth 301-302 306 - 309(ISSN 0022-0248) 2007/1
T. Sawada, N. Kimura, K. Suzuki, K. Imai,S,-W. Kim, and T. Suzuki Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing phys. stat. sol. (c) 3 6 1704 - 1708(ISSN 1610-1634) 2006/9
K. SUZUKI,S. SETO,T. SAWADA and K. IMAI Effects of sub-gap irradiation on the time-of-flight current waveforms of high resistivity CdTe phys. stat. sol. (c) 3 4 1130 - 1134(ISSN 1610-1634) 2006/2
S. SETO,T. KURODA and K. SUZUKI Defect-related emission in CdS films grown directly on hydrogen-terminated Si (111) substrates phys. stat. sol. (c) 3 4 803 - 806(ISSN 1610-1634) 2006/2
K. Yasuda, M. Niraula, H. Kusama, Y. Yamamoto, M. Tominaga, K. Takagi, Y. Agata, K. Suzuki Development of nuclear radiation detectors with energy discrimination capabilities based on thick CdTe Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy IEEE Trans. Nucl. Sci. 52 5 1951-1955 2005/10
M. NIRAULA, K. YASUDA, K. TAKAGI, H. KUSAMA, M. TOMINAGA, Y. YAMAMOTO, Y. AGATA and K. SUZUKI Development of nuclear radiation detectors based on epitaxially grwon thick CdTe layers on n+-GaAs substates J. Electronic Materials 34 6 (ISSN 0361-5235)815 - 819 2005/6
M. OHASHI, Y. ICHINOHE, G. SHIGAURA, Y. SASAKI, Y. CHIKARAYUMI, NA. KIMURA, NO. KIMURA, T. SAWADA, K. SUZUKI, K. IMAI, H. SAITO, P. A. TRUBENKO and Tu. V. Korostelin Excitation intensity dependence of up-converted emission in ZnSe-ZnTe superlattice grown by MBE J. Cryst. Growth 178 320 - 324(ISSN 0022-0248) 2005/5
T.SAWADA, S.YONETA, N.KIMURA, K.IMAI, K.SUZUKI, S.W.KIM and T.SUZUKI Interpretation of Leakage Current in Ni/n-(Al)GaN Schottky Structures and Its Influence on Surface Preparation Conditions Inst.Phys.Conf.Ser. 184 463 - 466(ISSN 0951-3248) 2005/2
M.NIRAURA, K.YASUDA, K.UCHIDA, Y.NAKANISHI, T.MABUCHI, Y.AGATA and K.SUZUKI Development of Nuclear Radiation Detectors With Energy Resolution Capability Based on CdTe-n+-GaAs Heterojunction Diodes IEEE Electron Device Lett. 26 1 8 - 10(ISSN 0741-3106) 2005/1
T.SAWADA, N.KIMURA, K.IMAI, K.SUZUKI and K.TANAHASHI Interpretation of Current Transport Properties at Ni/n-GaN Schottky Interfaces J.Vac.Sci.Technol.B 22 4 2051 - 2058(ISSN 0734-211X) 2004/7
M.NIRAURA, K.YASUDA, Y.NAKANISHI, K.UCHIDA, T.MABUCHI, Y.YAGATA and K.SUZUKI Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-ray Imaging Detrector J.Electronic Materials 33 6 645-650(ISSN 0361-5235) 2004/6
K. Suzuki, S. Seto, T. Sawada and K. Imai Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe phys. stat. sol. (c) 1 4 666-669(ISSN 1610-1634) 2004/5
Y.Sasaki, M.Ohashi, I.Tsubono, N.Kimura, T. Sawada, K.Suzuki, K.Imai and H.Saitho Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment phys.stat.sol.(c) 1 4 670 - 673(ISSN 1610-1634) 2004/5
Y.SASAKI, N.TAKOJIMA, Y.CHIKARAYUMI, N.KIMURA, T.SAWADA, K.SUZUKI and K.IMAI The origin of free exciton-like emission in ZnSeTe alloy phys.stat.sol.(c) 1 4 827 - 830(ISSN 1610-1634) 2004/5
Y.SASAKI, Y.CHIKARAYUMI, M.OHASHI, I.TSUBONO, N.KIMURA, T.SAWADA, K.SUZUKI, K.IMAI, H.SAITO, P.A.TRUBENKO and Yu.V.KOROSTELIN Light up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices grown on ZnSe by MBE phys.stat.sol.(c) 1 4 993 - 996(ISSN 1610-1634) 2004/5
K.Tanahashi, T.Endo, T.Sugimoto, T.Sasaki, S.Sinriki, A.Kanemoto, M.Eguti, K.Motoi, K.Imai, K.Suzuki, T.Sawada and N.Kimura Enhanced Magnetoresistance in Co/Cu Multilayers due to The Insertion of Ni Layers J.Electrochem.Soc. PV. 2002-27 450 - 458(ISSN 0361-5235) 2003/8
T.Sawada, Y.Izumi, N.Kimura, K.Suzuki, K.Imai, S-W.Kim and T.Suzuki Properties of GaN and AlGaN Schottky Contacts Revealed from I-V-T and C-V-T Measurements Applied Surface Science 216 192 - 197(ISSN 0169-4332) 2003/7
K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada and K.Imai Carrier transport properties of HPB Cd0.9Zn0.1Te and THM CdTe;Cl IEEE Transactions on Nuclear Science 49 1287 - 1291(ISSN 0018-9499) 2002/6
T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, S. Sakai Characterization of metal/GaN Schottky interfaces based on -I-V-T characteristics Applied Surface Science 190 326-329(ISSN 0169-4332) 2002/5
S. Seto, S. Yamada, T. Miyakawa, K. Suzuki Crystalline structure of CdTe directly grown on hydrogen-terminated Si(111) without pre-heat treatment Journal of Crystal Growth 237-239 1585-1588(ISSN 0022-0248) 2002/4
K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe Optical characterization of nuclear detector materials physica status solidi (b) 229 601 - 604(ISSN 0370-1972) 2002/2
S. Seto, N. Mochida, K. Inabe, K. Suzuki, T. Kuroda and F. Minami Excitonic emissions in ZnTe/GaAs films grown by hot wall epitaxy physica status solidi (b) 229 587 - 590(ISSN 0370-1972) 2002/2
M. Sasaki, N. Takojima, N. Kimura, I. Tsubono, K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai Electrron-phonon coupling of deep emission in ZnSeTe alloy J. Cryst. Growth 227-228 683-687(ISSN 0022-0248) 2001/9
S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe  Dynamics of bound excitons in compensated high resistivity CdTe  Physica B 302/303 307-311(ISSN 0921-4526) 2001/8
K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe Photoluminescence measurements on undoped CdZnTe grown by high pressure Bridgman method J. Electronic Materials 30 6 603 - 607(ISSN 0361-5235) 2001/7
S. Seto,S. Yamada and K. Suzuki Growth of CdTe on hydrogen-terminated Si (111) J. Cryst Growth 214/215 5 - 8(ISSN 0022-0248) 2001/6
S. Seto,S. Yamada,and K. Suzuki Structural and Optical Characterization of CdTe on CdS Grown by Hot-Wal Vacuum Evaporation Solar Energy Materials & Solar Cells 67 167 - 171(ISSN 0927-0248) 2001/2
T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa and S. Sakai Electrical Properties of Metal/GaN and SiO2/GaN Interfaces and Effects of Thermal Annealing Applied Surface Science 159-160 449-455(ISSN 0169-4332) 2000/7
K. Suzuki,A. Iwata,S. Seto,T. Sawada,and K. Imai Drift Mobility Measurements on Undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique J. Cryst Growth 214/215 909 - 912(ISSN 0022-0248) 2000/6
S. Seto,K. Suzuki,V. Abastillas,Jr. and K. Inabe Compensating related defects in In-doped bulk CdTe J. Cryst Growth 214/215 974 - 978(ISSN 0022-0248) 2000/6
K. Suzuki,A. Iwata,M. Bingo,T. Sawada,and K. Imai Transport Properties of undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique J. Electronics Materials 29 6 704 - 707(ISSN 0361-5235) 2000/6
S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki Growth of CdTe on hydrogen-terminated Si(111) J. Crystal Growth 214/215 5-8(ISSN 0022-0248) 2000/6
K. Watanabe, Y. Chikarayumi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai Up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices with modulated periodicity J. Cryst. Growth 201/202 201/202 477-480(ISSN 0022-0248) 1999/8
T. Sawada, M. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, T. Tomozawa Electrical properties of metal/n-GaN and PCVD SiO2/n-GaN interfaces Inst. Phys. Conf. Ser. 162 775-780(ISSN 0951-3248) 1999/7
K. Suzuki, S. Seto, K. Imai, T. Sawada, U. Neukirch, and J. Gutowski Effect of compositional disorder on the optical properties of Cd1-xZnxTe J. Electronics Materials 28 28 (ISSN 0361-5235)785-788 1999/6
Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai and K. Suzuki Potential Barrier Formed at n-ZnSe Regrwoth Homointerface by MBE J. Cryst. Growth 201/202 201/202 623-626(ISSN 0022-0248) 1999/5
K. Suzuki, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T.Sawada and K. Imai Recombination Kinetics of S1 and S2 Bands in ZnSe-ZnTe Superlattices J. Cryst. Growth 184/185 184/185 882-885(ISSN 0022-0248) 1998/5
Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, I. Tsubono Electrical Properties of Regrowth ZnSe Homointerfaces Formed by Molecular Beam Epitaxy Jpn. J. Appl. Phys. 37 1443-1448( ISSN 0021-4922 ) 1998/3
K. Suzuki, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski, N.Takojima, T. Sawada and K. Imai Stretched-exponential decay of the luminescence in ZnSe-ZnTe superlattices Solid State Communicatiins 105 571-575(ISSN 0038-1098) 1998/1
S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki Growth kinetics and structual characterizations of polycrystalline CdTe films grown by hot-wall vacuum evaporation Solar Energy Materials and Solar Cells 50 133-139(ISSN 0927-0248) 1998/1
K. Suzuki, K. Wundke, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai Time-resolved photoluminescence measurements on ZnSe-ZnTe superlattices phys. stat. sol. b 202 1013-1020(ISSN 0370-1972) 1997/6
T. Sawada, K. Fujiwara, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura Formation and control of MBE-ZnSe/GaAs heterointerface and regrown homointerface Applied Surface Science 117/118 477-483(ISSN 0169-4332) 1997/4
N. Chiba, T. Takahashi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai Growth rate and photoluminescence properties of MEE-ZnSe phys. stat. sol. a 160 115-119(ISSN 1862-6300) 1997/4
Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai and K. Suzuki Characterization of Epitaxial ZnSe/GaAs (100) Interface Properties and Their Control by (HF+Se) Pretreatment Jpn. J. Appl. Physics 36 56-65( ISSN 0021-4922 ) 1997/1
K.Suzuki, S. Seto S. Dairaku, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai Drift Mobility and Phtoluminescence Measurements on High Resistivity Cd1-xZnxTe Crystals Grwon from Te-Rich Solution J. Electronics Materials 25 1241-1246(ISSN 0361-5235) 1996/8
N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai Emission Mechanism of Blue and Green Bands in Ultrathin ZnSe-ZnTe Superlattices J. Cryst. Growth 159 489-492(ISSN 0022-0248) 1996/6
K. Suzuki, N. Akita, S.Dairaku, S. Seto, T. Sawada and K. Imai Drift Mobilities in Chlorin Doped Cd0.8Zn0.2Te J. Cryst. Growth 159 406-409(ISSN 0022-0248) 1996/5
K. Suzuki, K. Inagaki, S. Seto, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada and K. Imai Acceptor Defects and Annealing Behavior in Indium Doped Cd1-xZnxTe (x> 0.7) J. Cryst. Growth 159 388-391(ISSN 0022-0248) 1996/5
T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai and K. Suzuki Effect of GaAs Pretreatment on Electrical Properties of MBE-ZnSe/GaAs Substrate Interfaces J. Electronic Matterials 25 245-251(ISSN 0361-5235) 1996/2
N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai Green Emission Enhanced by Te Isoelectronic Traps in MBE ZnSe J. Cryst. Growth 150 770-774(ISSN 0022-0248) 1995/7
K. Suzuki, K. Inagaki, N. Kimura, I. Tsubono, T. Sawada, K. Imai and S. Seto Doping Induced Deffects in Cd1-xZnxTe Grown from Te Solution phys. stat. sol. a 147 203-210(ISSN 1862-6300) 1995/1
F. Iida, K. Kumazaki, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai Resonant Raman Peaks of ZnTe Grown by MBE phys. stat. sol. b 183 K75-K78(ISSN 0370-1972) 1994/8
K. Suzuki, N. Akita, K. Inagaki, N. Nishihata, N. Takojima and S. Dairaku Alloy Broadening in Photoluminescence Spectra of Cd1-xZnxTe Crystals Grown From Te Solution J. Cryst. Growth 138 199-203(ISSN 0022-0248) 1994/6
K. Suzuki and A. Tanaka Evolution of Transport Properties Along a Semi-Insulating CdTe Grown by Gradient Freeze Method Jpn. J. Appl. Phys. 31 2479-2482( ISSN 0021-4922 ) 1992/8
S. Seto, A. Tanaka, K. Suzuki and M. Kawashima Photoluminescence and Annealing Behavior of Ga-Doped CdTe Crystals J. Cryst. Growth 101 430-434(ISSN 0022-0248) 1990/11
K. Suzuki, S. Seto, A. Tanaka and M. Kawashima Carrier Drift Mobilities and PL Spectra of High Resistivity Cadmium Telluride J. Cryst. Growth 101 859-863(ISSN 0022-0248) 1990/11
K. Suzuki, K. Kuroiwa, K. Kamisako and Y. Tarui Doping Properties of Microcrystalline Silicon Prepared by Mercury Sensitized Photochemical Vapor Deposition Appl. Phys. A50 227-231(ISSN 0947-8396) 1990/7
鈴木和彦,黒岩紘一,上迫浩一,垂井康夫 光CVD法によるシリコン窒化膜の堆積とアモルフファスシリコン薄膜トランジスタ 電子情報通信学会論文誌C-II J72-C-II 10 927-933(ISSN 1345-2827) 1989/10
K. Suzuki, K. Kuroiwa and Y. Tarui Phosphorus Doping Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Mercury Sensitized Photo-CVD Jpn. J . Appl. Phys. 27 2032-2036( ISSN 0021-4922 ) 1988/11
S. Kawasaki, K. Sato, K. Suzuki, H. Takeuchi, K. Kuroiwa and Y. Tarui Optical Characterization of Undoped a-Si:H Prepared by Photo-CVD and GD Techniques Jpn. J. Appl. Phys. 26 1400-1403( ISSN 0021-4922 ) 1987/9
K. Suzuki, T. Kominato, H. Takeuchi, K. Kuroiwa and Y. Tarui Doping-Induced Defects in P-Doped Photo-CVD a-Si:H Jpn. J. Appl. Phys. 26 L902-L904( ISSN 0021-4922 ) 1987/6
K. Imai, K. Suzuki, T. Haga and Y. Abe Influence of Defects on Photoluminescence of InSe J. Appl. Phys. 60 3374-3376(ISSN 0021-8979) 1986/11
K. Suzuki, Y. Yukawa, H. Takao, K. Kuroiwa and Y. Tarui Characterization of Photo-CVD a-Si:H Films by Thin-Film Transistor Structure Jpn. J. Appl. Phys. 25 L811-L813( ISSN 0021-4922 ) 1986/10
K. Suzuki, K. Aota, T. Aihara, T. Suzuki, K. Kuroiwa and Y. Tarui Characterization of uc-Si:H Prepared by Photo-Chemical Vapor Deposition Jpn. J. Appl. Phys. 25 L624-L626( ISSN 0021-4922 ) 1986/8
K. Imai, K. Suzuki, T. Haga, Y. Hasegawa and Y. Abe Phase Diagram of In-Se System and Crystal Growth of Indium Monoselenide J. Cryst. Growth 54 501-506(ISSN 0022-0248) 1981/9
著者 タイトル 発行元 ページ 発表年月日
S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki Annealing effects of ZnO nanoparticles on the photoluminescence spectra AIP Conference Proceedings 1583 337-340 2014/3
S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki Annealing effects of ZnO nanoparticles on photoliminescence spectra 27th International Conference on Defects in Semiconductors ICDS.2316 2013/7
Hiroshi Saito, Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki Annealing effect on GaN thin films grown by MBE using ammonia cluster ions International Workshop on Nitride Semiconductors MoP-GR-33 2012/10
K. Kyoh, Y. Ichinohe, K. Honma, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai, H. Saito, Yu. V. Korostelin The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment 15th International Conference on MBE 2008/8
Y. Ichinohe, K. Kyoh, K. Honma, T. Sawada, K. Suzuki, No. Kimura, Na. Kimura, K. Imai Optical properties of ZnSe on GaN (0 0 0 1) grown by MBE 15th International Conference on MBE 2008/8
T.Sawada, Y.Ito, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and S.Sakai Influence of Inhomogeneous Barrier on I-V Characteristics of Metal/GaN Schottky Diodes IPAP Conf. Series,Vol.1, The Institute of Pure and Applied Physics (ISBN4-900526-13-4); Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors 801 - 804 2001/1
著者 タイトル 発行元 ページ 発表年月日
三島吉尊、増田貴宏、鈴木和彦、瀬戸悟 CIP法によるTOF過渡電流波形のシミュレーション 北海道科学大学研究紀要 46 19-26 2018/3
高橋 和也、一戸 善弘,本間 一臣、今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnSeTe混晶の光学的評価 北海道工業大学研究紀要 38 97-102 2010/3
本間一臣、一戸善弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁 光透過型ZnSe-ZnTe超格子の評価について 北海道工業大学研究紀要 38 137-142 2010/3
本間 一臣、共 佳、一戸善弘,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 InxGa1-xAs結晶基板上へのZnSeのMBE成長 北海道工業大学研究紀要 37 219-222 2009/3
共 佳、一戸善弘,本間 一臣、今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnTe/GaAsの水素による表面処理 北海道工業大学研究紀要 37 279-283 2009/3
一戸 善弘 志賀浦 豪一 今井 和明 澤田 孝幸 鈴木 和彦 木村信行 木村 尚仁 MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果 北海道工業大学研究紀要 35 303-308 2007/3
志賀浦 豪一、一戸 善弘、金森 真広、今井 和明、鈴木 和彦、澤田 孝幸、木村信行、 木村 尚仁 GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光 北海道工業大学研究紀要 35 339-343 2007/3
金森 真広、一戸 善弘、志賀浦 豪一、今井 和明、澤田 孝幸、鈴木 和彦、木村信行、 木村 尚仁 ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価 北海道工業大学研究紀要 35 261-264 2007/3
刈田 昂、鈴木 和彦、今井 和明 VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 北海道工業大学研究紀要 35 237 - 244 2007/3
志賀浦豪一,大橋雅浩,一戸善弘,今井和明,鈴木和彦,澤田孝幸,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnTe薄膜の熱処理効果 北海道工業大学研究紀要 34 201 - 205 2006/3
一戸善弘,大橋雅浩,志賀浦豪一,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnSe薄膜における熱処理効果 北海道工業大学研究紀要 34 207 - 209 2006/3
大橋雅浩,一戸善弘,志賀浦豪一,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性Ⅱ 北海道工業大学研究紀要 34 193 - 199 2006/3
大橋雅浩,今井和明,澤田孝幸,木村尚仁,鈴木和彦 ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性 北海道工業大学研究紀要 33 277 - 282 2005/3
田口順章、鈴木和彦 高抵抗CdZnTe結晶の過渡光電流の解析 北海道工業大学研究紀要 31 225 - 229 2003/3
北村繁典,鈴木和彦,永吉 弘 近接昇華法で育成された太陽電池用CdTe薄膜の結晶性の評価 北海道工業大学研究紀要 30 221 - 226 2002/3
岩田昭宏,北村繁典,鈴木和彦 室温動作型放射線検出器用CdTe:ClとCdZnTeのキャリア輸送特性の比較 北海道工業大学研究紀要 29 147 - 154 2001/3
鈴木和彦、備後雅樹、瀬戸 悟 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91Zn0.09TeのPL特性 北海道工業大学研究紀要 28 149-155 2000/3
鈴木和彦,西端宏至,芳賀哲也,小田島晟 溶媒法によるCd1-xZnxTe (x < 0.2) の結晶成長 北海道工業大学研究紀要 21 1993/3
鈴木和彦,熊崎賢次,小田島晟 GF法により成長した放射線検出器用CdTe結晶の評価 北海道工業大学研究紀要 20 89-95 1992/3
K. Kuroiwa, K. Suzuki and Y. Tarui Phosphorus Doping Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Deposited by Mercury Sensitized Photo-CVD Annual Research Report of SMERL Tokyo Univ. Agr. & Tech. 1986/1987 4 10-21 1988/3
K. Kuroiwa, K. Suzuki, H. Takeuchi and Y. Tarui Optical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon by Photo-Chemical Vapor Deposition Annual Research Report of SMERL Tokyo Univ. Agr. & Tech. 1984/1985 3 16-22 1986/3
著者 タイトル 発行元 ページ 発表年月日
瀬戸悟、有馬 佳宏、山田 悟、鈴木和彦 気相法をベースとしたペロブスカイト太陽電池の作製プロセス 第66回応用物理学会春季学術講演会 11a-S221-4 2019/3
K. Suzuki, Y. Mishima, T. Masuda, S. Seto Simulation of the transient current of radiation detector materials by the constrained profile interpolation method 2018 IEEE NSS MIC RTSD R-08-415 2018/11
三島吉尊,増田貴宏,鈴木和彦,瀬戸 悟 CIP 法による TOF 過渡電流波形のシミュレーション 第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-P-6-17 2018/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦 III族元素をドープした高抵抗ZnTe結晶の深い準位からの発光 第63回応用物理学会春季学術講演会 22a-H116-5 2016/3
Satoru Seto and Kazuhiko Suzuki Photoluminescence of high-resistivity ZnTe crystals doped with gallium and indium The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials MoP-25 2015/9
Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada and Satoru Seto Electric field inhomogeneity in ohmic-type CdTe detectors measured by time-of-flight technique The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials MoD-5 2015/9
鈴木和彦、瀬戸悟、澤田孝幸 CdTe系検出器におけるSCP過渡電流波形 第62回応用物理学会春季学術講演会 13p-A19-2 2015/3
K. Suzuki, T. Sawada, S. Seto Effect of intense illumination on the time-of-flight current waveforms of detector materials 2014 IEEE NSS/MIC/RTSD, Seatle USA R08-34 2014/11
Alsalman Ali, 澤田孝幸、鈴木和彦、増田貴宏 表面処理によるNi/AlGaN/GaNショットキー特性への影響(2) 第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-PB2-2 2014/9
鈴木 和彦、M. Shorohov、澤田 孝幸 飛行時間法によるTlBrのドリフト移動度 第61回応用物理学会春季学術講演会 19p-F1-7 2014/3
Alsalman Ali、澤田 孝幸、鈴木 和彦、増田 貴宏 表面処理によるNi/AlGaN/GaNショットキー特性への影響 第61回応用物理学会春季学術講演会 18p-PG3-17 2014/3
K. Suzuki, M. Shorohov, S. Set, T. Sawada Time-of-Flight Measurements on TlBr Crystals 2013 IEEE NSS MIC RTSD Seoul Korea R04-4 2013/10
K. Suzuki, Y. Ichinohe, T. Sawada, K. Imai, S. Seto Time-of-flight measurements on Schottky CdTe nuclear detectors The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materilas Tu-B2 2013/9
S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki, K. Matsumoto, S. Nakamura, M. Adachi Effects of thermal expansion in ZnTe epilayers on GaAs ansd InP substrates The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materilas Tu-P10 2013/9
鈴木 和彦、澤田 孝之、 瀬戸 悟 ショットキーCdTe検出器のTOF測定 第60回応用物理学会春季学術講演会 29a-PA1-1 2013/3
斉藤 博、 今井 和明、 鈴木 和彦 NH3-CIBを用いてMBE成長したAlN, GaN/Al2O3薄膜の格子定数 第60回応用物理学春季学術講演会 28p-G21-12 2013/3
Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada, Satoru Seto Temperature Dependent Measurements of Time-of-Flight Current Waveforms in Schottky CdTe Detectors 2012 IEEE NSS/MIC/RTSD Anaheim USA R04-4 2012/11
木村 尚仁,鈴木 和彦 ,今井 和明,横山 和義 ,矢神 雅規,福原 朗子 理科モノづくり教室開催による 地域児童への科学技術啓発の取り組み 工学教育研究講演会 214 2012/8
鈴木和彦、澤田孝幸、今井和明、瀬戸悟 CdTe系放射線検出器のTime-of-Flight測定 第59回応用物理学関係連合講演会 17p-C4-1 2012/3
鈴木和彦、澤田孝幸、今井和明 放射線検出器用高抵抗半導体材料のTOF測定 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会 C-32 2012/1
木村 尚仁,鈴木 和彦,今井 和明,矢神 雅規 リフレッシュ理科教室による理科啓発活動の取り組み 第47回応用物理学会北海道支部・第8回日本光学会北海道地区合同学術講演会 100 2012/1
K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai TOF measurements on Sctottky Type CdTe Detectors 2011 IEEE NSS/MIC/RTSD Valeicia Spain R12-8 2011/10
K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai Effect of DC Bias Field on the Time-of-Flight Current Waveforms of CdTe and CdZnTe Detectors 2010 IEEE NSS/MIC/RTSD Knoxville, Tennessee R07-4 2010/11
高橋和也,一戸善弘,本間一臣,今井和明,鈴木和彦. MBE-ZnSeTe混晶の高濃度Teドープ 第57回応用物理学連合講演会 19p-TW -4 2010/3
本間一臣,一戸善弘,高橋和也,山本泰輔,今井和明,木村尚仁,木村信行,澤田孝幸,鈴木和彦 光透過型ZnSe-ZnTe DSB 超格子の評価 第70回応用物理学会学術講演会 8a-N-1 2009/9
一戸善弘,本間一臣,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 ZnSe - ZnTe歪超格子のエネルギーバンド 第70回応用物理学会学術講演会 8a-N-2 2009/9
一戸善弘,共  佳,本間一臣,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 ZnSe-ZnTe超格子の波長変換効果と電子バンド構造 第56回応用物理学関係連合講演会 30p-J-9 2009/3
K. Suzuki and H. Shiraki Evaluation of Surface Recombination Velocity on CdTe Radiation Detectors by Time-of-Flight Measurements 2008 IEEE NSS/MIC/RTSD R12-4 Dresden Germany 587 - 588 2008/10
共  佳,一戸善弘,本間一臣,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 ZnTeの水素による表面処理III 第69回応用物理学会学術講演会 4p-CF-8 2008/9
共  佳,一戸善弘,金森真宏,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村直仁 ZnTeの水素による表面処理 II 第55回応用物理学術講演会 29a-P10-4 2008/3
一戸善弘,金森真広,共  佳,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 歪ZnSeにおけるフォトルミネッセンス 第55回応用物理学術講演会 29a-P10-6 2008/3
T. Karita, K. Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto, T. Sawada, and K. Imai MBE Growth of ZnSe Films on Lattice-Matched InxGa1-xAs Substrates 13th International Conference on II-VI Compounds Th-P-13 319 - 319 2007/9
S. Seto, S. Yamad, K. Suzuki, and Y. Yoshino Emissions from deep levels in hydrothermal grwon ZnO substarates 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-132 283 - 283 2007/9
G. Shigaura, M. Kanamori, Y. Ichinohe, Na Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai Photoluminescence of periodic alloy of ZnSeTe grown by MBE 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-84 390 - 390 2007/9
G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai Photoluminescence of modulation doped ZnSe:Te grown by MBE The 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-100 406 - 406 2007/9
一戸善弘,大橋雅浩,志賀浦豪一,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnSe/GaAsにおける結晶性の熱処理効果 第53回応用物理学関係連合講演会,I/313 2006/3
志賀浦豪一,大橋雅浩,一戸善弘,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnTe/GaAsにおけるフォトルミネッセンスの熱処理効果 第53回応用物理学関係連合講演会,I/316 2006/3
刈田 昴,鈴木和彦,今井和明 VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集,23P−ZD−18 2006/3
大橋雅浩,一戸善弘,志賀浦豪一,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性Ⅱ 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会,A−16 2006/1
一戸善弘,志賀浦豪一,大橋雅浩,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnSe薄膜における熱処理効果 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会,A−17 2006/1
志賀浦豪一,大橋雅浩,一戸善弘,今井和明,澤田孝幸,鈴木和彦,木村信行,木村尚仁 MBE-ZnTe薄膜の熱処理効果 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会,A−18 2006/1
刈田 昴,鈴木和彦,今井和明 VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会予稿集,A−9 2006/1
T.SAWADA, N.KIMURA, K.SUZUKI, K.IMAI, S.W.KIM and T.SUZUKI Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Structures and Influence of Thermal Annealing Abstracts of 6th International Conference on Nitride Semiconductors, TuP-110 2005/8
瀬戸 悟,松本健太郎,稲部勝幸,鈴木和彦 GaAsおよびInP基板上に成長したZnTe薄膜の熱歪み 第52回応用物理関係連合講演会 31a-ZN5 2005/3
大橋雅浩,一戸善弘,志賀浦豪一,今井和明,澤田孝幸,木村尚仁,鈴木和彦 ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性 第52回応用物理学関係連合講演会,I/336 2005/3
H.NAGAYOSHI and K.SUZUKI Growth of thick CdTe films by close-space-cublimation technique 2004 IEEE NSS/MIC/RTSD Rome R11-5 2004/11
K.SUZUKI, S.SETO, T.SAWADA and K.IMAI Photomagnetoelectric effect of Cd-based detector materilas 2004 IEEE NSS/MIC/RTSD Rome R11-31 2004/11
M.NIRAURA, K.YASUDA, K.TAKAGI, H.KUSAMA, M.TOMINAGA, Y.YAMAMOTO, Y.AGATA and K.SUZUKI Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe layers on n+-GaAs Substrates The 2004 U.S. Woprkshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas 2004/10
瀬戸 悟, 鈴木和彦 Si(111)基板上に成長したCdSエピタキシャル膜の欠陥が関与したY発光 第51回応用物理学関係連合講演会29p-P10-3 2004/3
草間啓年,内田 圭,中西祐太郎,マダンニラウラ,安田和人,鈴木和彦 MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 第51回応用物理学関係連合講演会29p-P12-5 2004/3
T.Sawada, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and K.Tanahashi Interpretation of Current Transport Properties at Ni/n-GaN Schottky Interfaces Proc. of 31st Conf. on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces,We0940 We0940 2004/1
K. Suzuki, S. Seto, T. Sawada and K. Imai Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe 11th International Conference on II-VI Compounds Th-4.35 2003/9
M. Niraula, K. Yasuda, T. Mabuchi, Y. NakanishivK. Uchida, Y. Agata and K. Suzuki Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-ray Imaging Detector The 2003 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas 2003/9
Y. Sasaki, N. Takojima, Y. Chikarayumi, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki and K. Imai The origin of free exciton-like emission in ZnSeTe alloy 11th International Conf. on II-VI Compounds,Niagara Falls Mo-5.48 2003/9
Y. Sasaki, Y. Chikarayumi, M. Ohashi, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai, H. Saito, P. A. Trubenko and Yu. V. Korostelin Light up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices grown on ZnSe by MBE 11th International Conf. on II-VI Compounds,Niagara Falls Mo-5.49 2003/9
Y. Sasaki, M. Ohashi, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai and H. Saito Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment 11th International Conf. on II-VI Compounds,Niagara Falls Tu-5.20 2003/9
神力盛二郎,佐々木隆紀,猪股貴裕,棚橋研二,元井和司,鈴木和彦 Co/Cu多層膜の磁気抵抗に与える対称,非対称Ni層挿入効果 応用物理学会学術講演会公演予稿集,No.1 136 - 2003/8
T.Sawada, Y.Izumi, N.Kimura, K.Suzuki, K.Imai and K.Tanahashi Influence of Oxygen-Ambient Thermal Annealing on Electrical Properties of Ni/n-GaN,AlGaN Schottky Contacts Technical Digest of 5th Int. Conf. on Nitride Semiconductors 379 - 2003/5
佐々木 陽介、今井 和明、澤田 孝幸、木村 尚仁、鈴木 和彦、坪野 功、斉藤 博 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II  第38回応用物理学会北海道支部/第8回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会  A-20 2003/1
佐々木 陽介、今井 和明、澤田 孝幸、木村 尚仁、鈴木 和彦、坪野 功 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果II 2002年秋季第63回応用物理学術講演会(新潟大学) I-269 2002/9
鈴木和彦,田口順章,北村繁典,瀬戸 悟 放射線検出器用材料のドリフト移動度測定II 第49回応用物理学連合講演会 29aYC-10 2002/3
北村 繁典,鈴木 和彦,永吉 弘 近接昇華法で作製されたCdTe薄膜結晶 第37回応用物理学会北海道支部/第7回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会A-15 2002/1
田口順章,北村繁典,鈴木和彦 HPB法で成長したCdZnTe結晶のTOF測定 第37回応用物理学会北海道支部/第7回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会B-13 2002/1
K. Suzuki, S. Seto, . Sawada and K. Imai Carrier transport properties of HPB Cd0.9Zn0.1Te and THM CdTeCl The 12th International workshop on room temperature semiconductor detectors (invited),R11-1 2001/11
K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe Optical characterization of nuclear detector materials 10th International Conference of II-VI Compounds,Tu-P01 Tu-P01 2001/9
S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe Excitonic emissions in ZnTe/GaAs films grown by hot wall epitaxy 10th International Conference of II-VI Compounds,Th-P06 Th-P06 2001/9
S. Seto, S. Yamada, K. Miyakawa and K. Suzuki Crystalline structure of CdTe grown directly on hydrogen-terminated Si(111) by hot-wall epitaxy The 13th International Conference on Crystal Growth 03a-SB3-07 2001/7
T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, S. Sakai Characterization of Metal/GaN Schottoky Interfaces Based on I-V Characteristics 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces Sapporo 244 2001/6
T. Sawada, Y. Ito, Y. Izumi, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki Characterization of Metal/p-GaN Schottoky Interfaces by I-V-T Measurements 43rd Electronic Materials Conference 43rd Indiana 18-19 2001/6
瀬戸 悟,持田夏樹,鈴木和彦,稲部勝幸 HWE法によるGaAs(100)基板上へのZnTe成長 第48回応用物理学関係連合講演会,29a-K-11 2001/3
K. Suzuki, S. Seto, T.Sawada, K. Imai, M. Adachi and K. Inabe Photoluminescence measurements on undoped CdZnTe grown by high pressure Bridgman method The 2000 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Albuquerque 59-62 2000/10
T.Sawada, Y.Ito, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and S.Sakai Influence of Inhomogeneous Barrier on I-V Characteristics of Metal/GaN Schottky Diodes Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors -IWN2000-,TA3-4 104 - 105 2000/9
S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe Dynamics of bound excitons in compensated high-resistivity CdTe Proceedings of Yamada Conference LIV,MoP-20. The 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors 2000/9
岩田 明宏、北村 繁典、鈴木 和彦、瀬戸 悟 放射線検出器用材料のドリフト移動度測定 2000年秋季第61回応用物理学術講演会、(北海道工業大学) 5a-V-6 2000/9
瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸、黒田 隆、南 不二雄 Cd1-xZnxTeとCd1-xMnxTeのポテンシャル揺らぎによるPL発光への影響 2000年春季第47回応用物理関係連合講演会 31p-M-4 2000/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦 ドナーアクセプタ対発光強度の温度変化 第10回光物性研究会論文集 IA-11 、41-44 1999/11
Kazuhiko Suzuki, A. Iwata, S. Seto, T. Sawada, K. Imai Drift Mobility Measurements on Undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto 29 1999/11
S. Seto, K. Suzuki, V. Abastillas, Jr. and K. Inabe Compensating related defects in In-doped bulk CdTe 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto 25 1999/11
S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki Heteroepitaxy of CdTe on Hydrogen-Terminated Si (111) 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto 26 1999/11
岩田 明宏、鈴木 和彦 THM法により成長した塩素ドープCdTe結晶のドリフト移動度測定 電気関係学会北海道支部連合講演会 129 1999/10
備後 雅樹、鈴木 和彦、瀬戸 悟 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91 Zn0.09TeのPL特性 電気関係学会北海道支部連合講演会 130 1999/10
T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa, S. Sakai Electrical Properties of Metal/GaN and SiO2/GaN Interfaces and Effects of Thermal Annealing Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Karuizawa B4-3 1999/10
鈴木 和彦、岩田 明宏、備後 雅樹、瀬戸 悟 無添加CdZnTe結晶のドリフト移動度測定 1999年秋季第60回応用物理学術講演会(甲南大学) 1p-ZB-4 1999/9
K. Suzuki, A. Iwata, M. Bingo, T. Sawada and K. Imai Transport Properties of undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique The 1999 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Las Vegas 59-62 1999/9
S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki Structural and Optical Characterization of CdTe on CdS Grown by Hot-Wal Vacuum Evaporation 11 th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-11) P-I-85 1999/9
鈴木 和彦、岩田 明宏、備後 雅樹、瀬戸 悟 無添加CdZnTe結晶のドリフト移動度測定 1999年秋季第60回応用物理学術講演会 1p-ZB-4 1999/9
鈴木 和彦、瀬戸 悟、U. Neukirch, J. Gutowski Cd1-xZnxTeの時間分解フォトルミネッセンス測定 1999年春季第46回応用物理関係連合講演会(東京理科大) 31p-M-4 1999/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 CdTe中の束縛励起子発光の時間分解スペクトル 1999年春季第46回応用物理関係連合講演会(東京理科大) 28a-X-6 1999/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 CdTeにおける束縛励起子発光の時間分解スペクトル 平成10年度日本物理学会・応用物理学会北陸・信越支部合同学術講演会(富山大学) VI-1 1998/12
瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 高抵抗In添加CdTeにおける束縛励起子発光の時間分解スペクトル 第9回光物性研究会(大阪市立大) 11B-46 1998/11
S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki Growth kinetics and structual characterizations of polycrystalline CdTe films grown by hot-wall vacuum evaporation Abstract of 9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 429-430 1998/11
K. Suzuki, S. Seto, K. Imai, T. Sawada, U. Neukirch, J. Gutowski Effect of compositional disorder on the optical properties of Cd1-xZnxTe The 1998 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Charleston 153-156 1998/10
T. Sawada, M. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, T. Tomozawa Electrical properties of metal/n-GaN and PCVD SiO2/n-GaN interfaces”, Extended Abstract of 25th International Conference on Compound Semiconductor Extended Abstract of 25th International Conference on Compound Semiconductor Fr1A-4 1998/10
K. Watanabe, Y. Chikarayumi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai Up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices with modulated periodicity 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Cannes France) 530-531 1998/9
Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki Potential Barrier Formed at n-ZnSe Regrwoth Homointerface by MBE 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Cannes France) 484-485 1998/9
Y. Yamagata, K. Fujiwara, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, I. Tsubono Electrical Properties of ZnSe/ZnSe Homointerfaces Formed by MBE Regrowth Process Extended Abstract of the 1997 International Conference of Solid State device and Materials (Hamamatsu) 196-197 1997/9
K. Suzuki, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T.Sawada and K. Imai Recombination Kinetics of S1 and S2 Bands in ZnSe-ZnTe Superlattices 8th International Conference on II-VI Compounds (Grenoble France) Th-p41 1997/8
T. Sawada, Y. Yamagata, K. Fujiwara, K. Imai, I. Tsubono, K. Suzuki Electrical Characterization of MBE-ZnSe/GaAs Heterointerface and Regrowth ZnSe/ZnSe Homointerface 39th Electronic Materials Conference V6 1997/6
K. Suzuki, K. Wundke, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski Time resolved photoluminescence measurements on ZnSe-ZnTe superlattices Deutsche Physikalische Gesellschaft Frühjahrstagung des AKF, (Münster Germany) HL11.39 1997/3
T. Sawada, K. Fujiwara, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura Formation and control of MBE-ZnSe/GaAs heterointerface and regrown homointerface 2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa). B1-6 1996/10
Y. Yamagata, K. Fujiwara, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura, I Tsubono Characterization and Control of MBE ZnSe/GaAs (100) Substrate Interface and Regrowth ZnSe/ZnSe Homointerface Extended Abstract of the 1996 International Conference of Solid State device and Materials, (Yokohama) 76-78 1996/8
瀬戸 悟、鈴木 和彦、田中 明和 CdTeの有効質量ドナーの2電子遷移発光 1996年春季第43回応用物理関係連合講演会(東洋大) 26a-SZN-10 1996/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦 CdTe系X線・γ線検出器の現状と今後の展開 1996年春季第43回応用物理関係連合講演会(東洋大) 27p-K-6/0 1996/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦 CdTe中の有効質量ドナー 平成7年度日本物理学会・応用物理学会北陸支部合同学術講演会 1995/12
K.Suzuki, S. Seto S. Dairaku, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai Drift Mobility and Phtoluminescence Measurements on High Resistivity Cd1-xZnxTe Crystals Grwon from Te-Rich Solution The 1995 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas Baltimore 77-79 1995/10
K. Suzuki, K. Inagaki, S. Seto, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada and K. Imai Acceptor Defects and Annealing Behavior in Indium Doped Cd1-xZnxTe (x> 0.7) 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) Th-P3 1995/8
K. Suzuki, N. Akita, S.Dairaku, S. Seto, T. Sawada and K. Imai Drift Mobilities in Chlorin Doped Cd0.8Zn0.2Te 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) Tu-P92 1995/8
N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai, Emission Mechanism of Blue and Green Bands in Ultra-thin ZnSe-ZnTe Superlattices 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) Tu-P24 1995/8
T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai and K. Suzuki Effect of GaAs Pretreatment on Electrical Properties of MBE-ZnSe/GaAs Substrate Interfaces 37th Electronic Materials Conference (Baltimore, USA) T5 1995/8
秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦、小田島 晟、” 溶媒法で成長した半絶縁性Cd1-xZnxTe結晶のTOF測定(II) 1995年春季第42回応用物理関係連合講演会(東海大) 30a-ZL-9 1995/3
秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦、小田島 晟 溶媒法で成長した半絶縁性Cd1-xZnxTe結晶のTOF測定 1994年秋季第55回応用物理学術講演会(明城大学) 21a-F-8 1994/9
稲垣 光一、秋田 直人、鈴木 和彦、瀬戸 悟、小田島 晟 溶媒法で成長したIn添加Cd1-xZnxTe結晶の熱処理効果 1994年秋季第55回応用物理学術講演会(明城大学) 21a-F-7 1994/9
N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai Green Emission Enhanced by Te Isoelectronic Traps in MBE ZnSe 8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy B10-13 1994/8
稲垣 光一、秋田 直人、川島 嘉史、中島 修、山本 直孝、鈴木 和彦 溶媒法で成長したCd1-xZnxTeのアドミタンススペクトロスコピー 1994年春季第41回応用物理関係連合講演会(明治大学) 30p-Z-4 1994/3
瀬戸 悟、鈴木 和彦、田中 明和 InドープCdTeのフォトルミネッセンス評価 1994年春季第41回応用物理関係連合講演会(明治大学) 30p-P-8 1994/3
秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦 溶媒法で成長したInドープCdTe結晶 1993年秋季第54回応用物理学術講演会(北大) 28aSZM19 1993/9
K. Suzuki, N. Akita, K. Inagaki, N. Nishihata, N. Takojima and S. Dairaku Alloy Broadening in Photoluminescence Spectra of Cd1-xZnxTe Crystals Grown From Te Solution 6th International Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materilas PA05 1993/9
瀬戸 悟、山田 悟、鈴木 和彦 高抵抗CdTeのドナーアクセプターペア発光強度の温度依存性 1998年春季第45回応用物理関係連合講演会(東京工科大) 30p-T-3 1993/3
鈴木 和彦、西端 宏至、今井 和明、熊崎 賢次 溶媒法で成長したCd1-xZnxTe結晶のPL特性 1993年春季第40回応用物理関係連合講演会(青学大) 1p-ZD-7 1993/3
西端 宏至、秋田 直人、稲垣 光一、後藤 智宏、鈴木 和彦、芳賀 哲也 溶媒法によるCd1-xZnxTeの結晶成長 平成4年度電気関係学会北海道支部連合大会(北見工大) 99 1992/11
西端 宏至、鈴木 和彦、芳賀 哲也 溶媒法によるCd1-xZnxTeの結晶成長 1992年秋季第53回応用物理学術講演会(関西大学) 16p-ZK-18 1992/10
鈴木 和彦、田中 明和 GF法で成長した半絶縁性CdTe結晶の正孔のμτ積 1992年春季第39回応用物理関係連合講演会(日本大学) 29-pS-4/III 1992/3
鈴木 和彦 GF法で成長したCdTe結晶の欠陥分布 1992年第27回応用物理学会北海道支部学術講演会(北大) A-4 1992/1
S. Seto, A. Tanaka, K. Suzuki and M. Kawashima Photoluminescence and Annealing Behavior of Ga-Doped CdTe Crystals 4th International Conference on II-VI Compounds Berlin(West) Mo-3-6 1989/9
K. Suzuki, S. Seto, A. Tanaka and M. Kawashima Carrier Drift Mobilities and PL Spectra of High Resistivity Cadmium Telluride 4th International Conference on II-VI Compounds Berlin(West) Mo-P-60 1989/9
鈴木 和彦、瀬戸 悟、正 義彦、田中 明和、川島 光郎 塩素ドープCdTeのTOF測定 1989年春季第36回応用物理関係連合講演会(千葉大) 4p-ZM-8 1989/3
高尾 裕昭、中鉢 浩幸、鈴木 和彦、岡 哲史、松井 正宏、黒岩 紘一、垂井 康夫 光CVD高誘電率絶縁膜を用いたTFT 1987年秋季第48回応用物理学術講演会(名大) 1987/9
鈴木 和彦、石禾、武田、青木、黒岩 紘一、垂井 康夫 光CVDa-Si:H膜のPドーピング特性(2) 1987年秋季第48回応用物理学術講演会(名大) 19p-C-11 1987/9
鈴木 和彦、小湊 俊海、竹内 洋、岩崎、黒岩 紘一、垂井 康夫 光CVDa-Si:H膜のPドーピング特性 1987年春季第34回応用物理関係連合講演会(早大) 29a-F-2 1987/3
鈴木 和彦、竹内 洋、黒岩 紘一、垂井 康夫 光CVDa-Si:Hの低エネルギールミネッセンス 1986年秋季第47回応用物理学術講演会(北大) 30a-S-7 1986/9
鈴木 和彦、竹内 洋 洋、吉野 寛一、黒岩 紘一、垂井 康夫 光CVDa-Si:H膜の光学的特性評価 1986年春季第33回応用物理関係連合講演会(日大) 2p-E-5 1986/3
湯川 洋介、鈴木 和彦、高尾 裕昭、鈴木 雅、黒岩 紘一、垂井 康夫 TFT構造によるa-Si:H膜の評価 1986年春季第33回応用物理関係連合講演会、(日大) 1986/3
鈴木 和彦、青田 克己、相原 孝章、鈴木 雅、垂井 康夫 光CVD μC-Si:H膜の作製 1985年秋季第46回応用物理学術講演会(京都大学) 4p-ZA-14 1985/10
芳賀 哲也、鈴木 仁、阿部 寛、田中 明和、鈴木 和彦 イオンチャネリングによるCdTe単結晶の極性の決定 1985年秋季第46回応用物理学術講演会(於 京都大学) 1985/10
鈴木 和彦、正 義彦、田中 明和 ブリッジマン法によるCdTe結晶の成長方位 1985年春季第32回応用物理関係連合講演会(青学大) 1p-Z-3 1985/3
鈴木 和彦、今井 和明、芳賀 哲也、阿部 寛 イオンチャネリングによるInSeの結晶評価 1981年応用物理学会北海道支部学術講演会(北大) B-14 1981/1
鈴木 和彦、芳賀 哲也、今井 和明、西脇 修治、阿部 寛 InSeの結晶成長と結晶評価 1980年秋季第41回応用物理学術講演会(名工大) 19p-M-10 1980/10
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斉藤博、今井和明、大石正和、澤田孝幸、鈴木和彦 入門固体物性(共著) 共立出版株式会社ISBN4-320-03341-8 1997/1
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木村尚仁,鈴木和彦,今井和明,矢神雅規,福原朗子 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-でんきモノづくりの時間- 応用物理教育 33 33 31-33 2009/7
鈴木 和彦 温度勾配法で育成した高抵抗CdTe結晶の飛行時間測定 電材研技報 (ISSN 0911-2626) 8 1 2-10 1990/4