化合物半導体の結晶成長と電気的・光学的性質に関する研究
飛行時間法、時間分解フォトルミネッセンス法等を用いて電気的・光学的過渡応答特性からキャリアダイナミクス、輸送等について研究しています。特にⅡ-Ⅵ族を中心としたワイドギャップ半導体の輸送特性に興味を持っています。
工学部
電気電子工学科
工学研究科
電気電子工学専攻（修士課程）
工学専攻（博士後期課程）
教授
工学博士
鈴木 和彦
( スズキ カズヒコ )
学位
工学博士：北海道大学：1990年
研究分野
半導体物性
キーワード
化合物半導体/キャリア輸送/タイムオブフライト測定/時間分解分光
研究・学術活動
- 論文(84件)
- 会議論文(6件)
- 紀要(21件)
- 講演(138件)
- 著書(1件)
- 作品(0件)
- 受賞(0件)
- その他(2件)
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Kazuhiko Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto | Effect of intense optical excitation on the internal electric field evolution in CdTe gamma-ray detectors | J. Electronic Materials | 47 | 8 | 4332-4337 | 2018/3 |
| Yoshihiro Ichinohe, Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki, Hiroshi Saito | Anomalous Elongation of c-axis of AlN on Al2O3 Grown by MBE using NH3-Cluster Ions | Journal of Crystal Growth | 454 | 111-113 | 2016/11 | |
| Yoshihiro Ichinohe, , Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki, Hiroshi Saito | Anomalous elongation of c-axis of GaN on Al2O3 grown by MBE using NH3-cluster ions | Journal of Crystal Growth | 436 | 12-15 | 2016/2 | |
| Satoru Seto and Kazuhiko Suzuki | Photoluminescence of high-resistivity ZnTe crystals doped with gallium and indium | phys. stat. sol. (c) | 13 | 7-9 | 490-493 | 2016/2 |
| Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada and Satoru Seto | Electric field inhomogeneity in ohmic-type CdTe detectors measured by time-of-flight technique | phys. stat. sol. (c) | 13 | 7-9 | 656-660 | 2016/2 |
| K. Suzuki, M. Shorohov, T. Sawada, and S. Seto | Time-of-Flight Measurements on TlBr Detectors | IEEE Trans. Nucl. Sci. | 62 | 2 | 433-436 | 2015/4 |
| Kazuhiko Suzuki, Yoshihiro Ichinohe, Takayuki Sawada, Kazuaki Imai,Satoru Seto | Time-of-flight measurements on Schottky CdTe nuclear detectors | physica status solidi (c) | 11 | 7-8 | 1337-1340 | 2014/3 |
| K. Suzuki, T. Sawada, S. Seto | Temperature-Dependent Measurements of Time-of-Flight Current Waveforms in Schottky CdTe Detectors | IEEE Trans. Nucl. Sci. | 60 | 4 | 2840-2844 | 2013/8 |
| K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai, S. Seto | Time-of-Flight Measurements on Schottoky CdTe Detectors | IEEE Transactions on Nuclear Science | 59 | 4 | 1522-1525 | 2012/8 |
| K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai | Effect of DC bias field on the Time-of-Flight Current Waveforms of CdTe and CdZnTe Detectors | IEEE Transactions on Nuclear Science | 58 | 4 | 1958-1963(ISSN 0018-9499) | 2011/8 |
| K. Suzuki and H. Shiraki | Evaluation of Surface Recombination Velocity on CdTe Radiation Detectors by Time-of-Flight Measurements | IEEE Trans. Nucl. Sci. | 56 | 4 | 1712 - 1716(ISSN 0018-9499) | 2009/8 |
| K. Kyoh, Y. Ichinohe, K. Honma, Na. Kimura, No. Kimura, T.Sawada, K. Suzuki, H. Saito, Yu. V. Korostein | The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment | Journal of Crystal Growth | 311 | 7 | 2096-2098(ISSN 0022-0248) | 2009/3 |
| Y. Ichinohe, K. Kyoh, K. Honma, T. Sawada, K. Suzuki, No. Kimura, Na. Kimura, K. Imai | Optical properties of ZnSe on GaN (0 0 0 1) grown by MBE | Journal of Crystal Growth | 311 | 7 | 2106-2108(ISSN 0022-0248) | 2009/3 |
| S. Seto, S. Yamad, K. Suzuki, and Y. Yoshino | Emissions from deep levels in hydrothermal grwon ZnO substarates | Journal of Korean Physical Society | 53 | 5 | 2959 - 2962(ISSN 0374-4884) | 2008/11 |
| G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai | Photoluminescence of modulation-doped ZnSe:Te grown by using MBE | Journal of Korean Physical Society | 53 | 5 | 2901 - 2904(ISSN 0374-4884) | 2008/11 |
| T. Karita, K. Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto, T. Sawada, and K. Imai | MBE Growth of ZnSe Films on Lattice-Matched InxGa1-xAs Substrates | Journal of Korean Physical Society | 53 | 1 | 150 - 153(ISSN 0374-4884) | 2008/7 |
| G. Shigaura, M. Kanamori, Y. Ichinohe, Na Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai | Photoluminescence of periodic alloy of ZnSeTe grown by MBE | Journal of Korean Physical Society | 53 | 1 | 179 - 182(ISSN 0374-4884) | 2008/7 |
| T. Sawada, K. Tanahashi, K. Ise, K. Suzuki, K. Kitamori, N. Kimura, K. Imai, S.-W. Kim, and T. Suzuki | Suppression of gate leakage current in i-AlGaN/GaN hetero structures by insertion of anodic Al2O3 layer and influence of thermal annealing on channel electrons | phys. stat. sol. (c) | 4 | 7 | 2686 - 2689(ISSN 1610-1634) | 2007/5 |
| G. Shigaura, M. Ohashi, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki and K. Imai | Deep emissions of MBE-ZnTe on tilted GaAS substrate | J. Cryst. Growth | 301-302 | 297 - 300(ISSN 0022-0248) | 2007/1 | |
| M. Ohashi, G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Y. Chikarayumi, Y. Sasaki, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai | Light up-conversion mechanism of ZnSe-ZnTe superlattices | J. Cryst. Growth | 301-302 | 306 - 309(ISSN 0022-0248) | 2007/1 | |
| T. Sawada, N. Kimura, K. Suzuki, K. Imai,S,-W. Kim, and T. Suzuki | Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing | phys. stat. sol. (c) | 3 | 6 | 1704 - 1708(ISSN 1610-1634) | 2006/9 |
| K. SUZUKI，S. SETO，T. SAWADA and K. IMAI | Effects of sub-gap irradiation on the time-of-flight current waveforms of high resistivity CdTe | phys. stat. sol. (c) | 3 | 4 | 1130 - 1134(ISSN 1610-1634) | 2006/2 |
| S. SETO，T. KURODA and K. SUZUKI | Defect-related emission in CdS films grown directly on hydrogen-terminated Si (111) substrates | phys. stat. sol. (c) | 3 | 4 | 803 - 806(ISSN 1610-1634) | 2006/2 |
| K. Yasuda, M. Niraula, H. Kusama, Y. Yamamoto, M. Tominaga, K. Takagi, Y. Agata, K. Suzuki | Development of nuclear radiation detectors with energy discrimination capabilities based on thick CdTe Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy | IEEE Trans. Nucl. Sci. | 52 | 5 | 1951-1955 | 2005/10 |
| M. NIRAULA, K. YASUDA, K. TAKAGI, H. KUSAMA, M. TOMINAGA, Y. YAMAMOTO, Y. AGATA and K. SUZUKI | Development of nuclear radiation detectors based on epitaxially grwon thick CdTe layers on n+-GaAs substates | J. Electronic Materials | 34 | 6 | (ISSN 0361-5235)815 - 819 | 2005/6 |
| M. OHASHI, Y. ICHINOHE, G. SHIGAURA, Y. SASAKI, Y. CHIKARAYUMI, NA. KIMURA, NO. KIMURA, T. SAWADA, K. SUZUKI, K. IMAI, H. SAITO, P. A. TRUBENKO and Tu. V. Korostelin | Excitation intensity dependence of up-converted emission in ZnSe-ZnTe superlattice grown by MBE | J. Cryst. Growth | 178 | 320 - 324(ISSN 0022-0248) | 2005/5 | |
| T.SAWADA, S.YONETA, N.KIMURA, K.IMAI, K.SUZUKI, S.W.KIM and T.SUZUKI | Interpretation of Leakage Current in Ni/n-(Al)GaN Schottky Structures and Its Influence on Surface Preparation Conditions | Inst.Phys.Conf.Ser. | 184 | 463 - 466(ISSN 0951-3248) | 2005/2 | |
| M.NIRAURA, K.YASUDA, K.UCHIDA, Y.NAKANISHI, T.MABUCHI, Y.AGATA and K.SUZUKI | Development of Nuclear Radiation Detectors With Energy Resolution Capability Based on CdTe-n+-GaAs Heterojunction Diodes | IEEE Electron Device Lett. | 26 | 1 | 8 - 10(ISSN 0741-3106) | 2005/1 |
| T.SAWADA, N.KIMURA, K.IMAI, K.SUZUKI and K.TANAHASHI | Interpretation of Current Transport Properties at Ni/n-GaN Schottky Interfaces | J.Vac.Sci.Technol.B | 22 | 4 | 2051 - 2058(ISSN 0734-211X) | 2004/7 |
| M.NIRAURA, K.YASUDA, Y.NAKANISHI, K.UCHIDA, T.MABUCHI, Y.YAGATA and K.SUZUKI | Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-ray Imaging Detrector | J.Electronic Materials | 33 | 6 | 645-650(ISSN 0361-5235) | 2004/6 |
| K. Suzuki, S. Seto, T. Sawada and K. Imai | Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe | phys. stat. sol. (c) | 1 | 4 | 666-669(ISSN 1610-1634) | 2004/5 |
| Y.Sasaki, M.Ohashi, I.Tsubono, N.Kimura, T. Sawada, K.Suzuki, K.Imai and H.Saitho | Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment | phys.stat.sol.(c) | 1 | 4 | 670 - 673(ISSN 1610-1634) | 2004/5 |
| Y.SASAKI, N.TAKOJIMA, Y.CHIKARAYUMI, N.KIMURA, T.SAWADA, K.SUZUKI and K.IMAI | The origin of free exciton-like emission in ZnSeTe alloy | phys.stat.sol.(c) | 1 | 4 | 827 - 830(ISSN 1610-1634) | 2004/5 |
| Y.SASAKI, Y.CHIKARAYUMI, M.OHASHI, I.TSUBONO, N.KIMURA, T.SAWADA, K.SUZUKI, K.IMAI, H.SAITO, P.A.TRUBENKO and Yu.V.KOROSTELIN | Light up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices grown on ZnSe by MBE | phys.stat.sol.(c) | 1 | 4 | 993 - 996(ISSN 1610-1634) | 2004/5 |
| K.Tanahashi, T.Endo, T.Sugimoto, T.Sasaki, S.Sinriki, A.Kanemoto, M.Eguti, K.Motoi, K.Imai, K.Suzuki, T.Sawada and N.Kimura | Enhanced Magnetoresistance in Co/Cu Multilayers due to The Insertion of Ni Layers | J.Electrochem.Soc. PV. | 2002-27 | 450 - 458(ISSN 0361-5235) | 2003/8 | |
| T.Sawada, Y.Izumi, N.Kimura, K.Suzuki, K.Imai, S-W.Kim and T.Suzuki | Properties of GaN and AlGaN Schottky Contacts Revealed from I-V-T and C-V-T Measurements | Applied Surface Science | 216 | 192 - 197(ISSN 0169-4332) | 2003/7 | |
| K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada and K.Imai | Carrier transport properties of HPB Cd0.9Zn0.1Te and THM CdTe;Cl | IEEE Transactions on Nuclear Science 49 | 1287 - 1291(ISSN 0018-9499) | 2002/6 | ||
| T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, S. Sakai | Characterization of metal/GaN Schottky interfaces based on -I-V-T characteristics | Applied Surface Science | 190 | 326-329(ISSN 0169-4332) | 2002/5 | |
| S. Seto, S. Yamada, T. Miyakawa, K. Suzuki | Crystalline structure of CdTe directly grown on hydrogen-terminated Si(111) without pre-heat treatment | Journal of Crystal Growth | 237-239 | 1585-1588(ISSN 0022-0248) | 2002/4 | |
| K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe | Optical characterization of nuclear detector materials | physica status solidi (b) | 229 | 601 - 604(ISSN 0370-1972) | 2002/2 | |
| S. Seto, N. Mochida, K. Inabe, K. Suzuki, T. Kuroda and F. Minami | Excitonic emissions in ZnTe/GaAs films grown by hot wall epitaxy | physica status solidi (b) | 229 | 587 - 590(ISSN 0370-1972) | 2002/2 | |
| M. Sasaki, N. Takojima, N. Kimura, I. Tsubono, K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai | Electrron-phonon coupling of deep emission in ZnSeTe alloy | J. Cryst. Growth | 227-228 | 683-687(ISSN 0022-0248) | 2001/9 | |
| S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe | Dynamics of bound excitons in compensated high resistivity CdTe | Physica B | 302/303 | 307-311(ISSN 0921-4526) | 2001/8 | |
| K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe | Photoluminescence measurements on undoped CdZnTe grown by high pressure Bridgman method | J. Electronic Materials | 30 | 6 | 603 - 607(ISSN 0361-5235) | 2001/7 |
| S. Seto，S. Yamada and K. Suzuki | Growth of CdTe on hydrogen-terminated Si (111) | J. Cryst Growth | 214/215 | 5 - 8(ISSN 0022-0248) | 2001/6 | |
| S. Seto，S. Yamada，and K. Suzuki | Structural and Optical Characterization of CdTe on CdS Grown by Hot-Wal Vacuum Evaporation | Solar Energy Materials & Solar Cells | 67 | 167 - 171(ISSN 0927-0248) | 2001/2 | |
| T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa and S. Sakai | Electrical Properties of Metal/GaN and SiO2/GaN Interfaces and Effects of Thermal Annealing | Applied Surface Science | 159-160 | 449-455(ISSN 0169-4332) | 2000/7 | |
| K. Suzuki，A. Iwata，S. Seto，T. Sawada，and K. Imai | Drift Mobility Measurements on Undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique | J. Cryst Growth | 214/215 | 909 - 912(ISSN 0022-0248) | 2000/6 | |
| S. Seto，K. Suzuki，V. Abastillas，Jr. and K. Inabe | Compensating related defects in In-doped bulk CdTe | J. Cryst Growth | 214/215 | 974 - 978(ISSN 0022-0248) | 2000/6 | |
| K. Suzuki，A. Iwata，M. Bingo，T. Sawada，and K. Imai | Transport Properties of undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique | J. Electronics Materials | 29 | 6 | 704 - 707(ISSN 0361-5235) | 2000/6 |
| S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki | Growth of CdTe on hydrogen-terminated Si(111) | J. Crystal Growth | 214/215 | 5-8(ISSN 0022-0248) | 2000/6 | |
| K. Watanabe, Y. Chikarayumi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai | Up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices with modulated periodicity | J. Cryst. Growth 201/202 | 201/202 | 477-480(ISSN 0022-0248) | 1999/8 | |
| T. Sawada, M. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, T. Tomozawa | Electrical properties of metal/n-GaN and PCVD SiO2/n-GaN interfaces | Inst. Phys. Conf. Ser. | 162 | 775-780(ISSN 0951-3248) | 1999/7 | |
| K. Suzuki, S. Seto, K. Imai, T. Sawada, U. Neukirch, and J. Gutowski | Effect of compositional disorder on the optical properties of Cd1-xZnxTe | J. Electronics Materials 28 | 28 | (ISSN 0361-5235)785-788 | 1999/6 | |
| Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai and K. Suzuki | Potential Barrier Formed at n-ZnSe Regrwoth Homointerface by MBE | J. Cryst. Growth 201/202 | 201/202 | 623-626(ISSN 0022-0248) | 1999/5 | |
| K. Suzuki, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T.Sawada and K. Imai | Recombination Kinetics of S1 and S2 Bands in ZnSe-ZnTe Superlattices | J. Cryst. Growth 184/185 | 184/185 | 882-885(ISSN 0022-0248) | 1998/5 | |
| Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, I. Tsubono | Electrical Properties of Regrowth ZnSe Homointerfaces Formed by Molecular Beam Epitaxy | Jpn. J. Appl. Phys. | 37 | 1443-1448( ISSN 0021-4922 ) | 1998/3 | |
| K. Suzuki, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski, N.Takojima, T. Sawada and K. Imai | Stretched-exponential decay of the luminescence in ZnSe-ZnTe superlattices | Solid State Communicatiins | 105 | 571-575(ISSN 0038-1098) | 1998/1 | |
| S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki | Growth kinetics and structual characterizations of polycrystalline CdTe films grown by hot-wall vacuum evaporation | Solar Energy Materials and Solar Cells | 50 | 133-139(ISSN 0927-0248) | 1998/1 | |
| K. Suzuki, K. Wundke, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai | Time-resolved photoluminescence measurements on ZnSe-ZnTe superlattices | phys. stat. sol. b | 202 | 1013-1020(ISSN 0370-1972) | 1997/6 | |
| T. Sawada, K. Fujiwara, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura | Formation and control of MBE-ZnSe/GaAs heterointerface and regrown homointerface | Applied Surface Science | 117/118 | 477-483(ISSN 0169-4332) | 1997/4 | |
| N. Chiba, T. Takahashi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai | Growth rate and photoluminescence properties of MEE-ZnSe | phys. stat. sol. a | 160 | 115-119(ISSN 1862-6300) | 1997/4 | |
| Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai and K. Suzuki | Characterization of Epitaxial ZnSe/GaAs (100) Interface Properties and Their Control by (HF+Se) Pretreatment | Jpn. J. Appl. Physics | 36 | 56-65( ISSN 0021-4922 ) | 1997/1 | |
| K.Suzuki, S. Seto S. Dairaku, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai | Drift Mobility and Phtoluminescence Measurements on High Resistivity Cd1-xZnxTe Crystals Grwon from Te-Rich Solution | J. Electronics Materials | 25 | 1241-1246（ISSN 0361-5235) | 1996/8 | |
| N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai | Emission Mechanism of Blue and Green Bands in Ultrathin ZnSe-ZnTe Superlattices | J. Cryst. Growth | 159 | 489-492(ISSN 0022-0248) | 1996/6 | |
| K. Suzuki, N. Akita, S.Dairaku, S. Seto, T. Sawada and K. Imai | Drift Mobilities in Chlorin Doped Cd0.8Zn0.2Te | J. Cryst. Growth | 159 | 406-409(ISSN 0022-0248) | 1996/5 | |
| K. Suzuki, K. Inagaki, S. Seto, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada and K. Imai | Acceptor Defects and Annealing Behavior in Indium Doped Cd1-xZnxTe (x> 0.7) | J. Cryst. Growth | 159 | 388-391(ISSN 0022-0248) | 1996/5 | |
| T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai and K. Suzuki | Effect of GaAs Pretreatment on Electrical Properties of MBE-ZnSe/GaAs Substrate Interfaces | J. Electronic Matterials | 25 | 245-251(ISSN 0361-5235) | 1996/2 | |
| N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai | Green Emission Enhanced by Te Isoelectronic Traps in MBE ZnSe | J. Cryst. Growth | 150 | 770-774(ISSN 0022-0248) | 1995/7 | |
| K. Suzuki, K. Inagaki, N. Kimura, I. Tsubono, T. Sawada, K. Imai and S. Seto | Doping Induced Deffects in Cd1-xZnxTe Grown from Te Solution | phys. stat. sol. a | 147 | 203-210(ISSN 1862-6300) | 1995/1 | |
| F. Iida, K. Kumazaki, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai | Resonant Raman Peaks of ZnTe Grown by MBE | phys. stat. sol. b | 183 | K75-K78(ISSN 0370-1972) | 1994/8 | |
| K. Suzuki, N. Akita, K. Inagaki, N. Nishihata, N. Takojima and S. Dairaku | Alloy Broadening in Photoluminescence Spectra of Cd1-xZnxTe Crystals Grown From Te Solution | J. Cryst. Growth | 138 | 199-203(ISSN 0022-0248) | 1994/6 | |
| K. Suzuki and A. Tanaka | Evolution of Transport Properties Along a Semi-Insulating CdTe Grown by Gradient Freeze Method | Jpn. J. Appl. Phys. | 31 | 2479-2482( ISSN 0021-4922 ) | 1992/8 | |
| S. Seto, A. Tanaka, K. Suzuki and M. Kawashima | Photoluminescence and Annealing Behavior of Ga-Doped CdTe Crystals | J. Cryst. Growth | 101 | 430-434(ISSN 0022-0248) | 1990/11 | |
| K. Suzuki, S. Seto, A. Tanaka and M. Kawashima | Carrier Drift Mobilities and PL Spectra of High Resistivity Cadmium Telluride | J. Cryst. Growth | 101 | 859-863(ISSN 0022-0248) | 1990/11 | |
| K. Suzuki, K. Kuroiwa, K. Kamisako and Y. Tarui | Doping Properties of Microcrystalline Silicon Prepared by Mercury Sensitized Photochemical Vapor Deposition | Appl. Phys. | A50 | 227-231(ISSN 0947-8396) | 1990/7 | |
| 鈴木和彦，黒岩紘一，上迫浩一，垂井康夫 | 光CVD法によるシリコン窒化膜の堆積とアモルフファスシリコン薄膜トランジスタ | 電子情報通信学会論文誌C-II | J72-C-II | 10 | 927-933(ISSN 1345-2827) | 1989/10 |
| K. Suzuki, K. Kuroiwa and Y. Tarui | Phosphorus Doping Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Mercury Sensitized Photo-CVD | Jpn. J . Appl. Phys. | 27 | 2032-2036( ISSN 0021-4922 ) | 1988/11 | |
| S. Kawasaki, K. Sato, K. Suzuki, H. Takeuchi, K. Kuroiwa and Y. Tarui | Optical Characterization of Undoped a-Si:H Prepared by Photo-CVD and GD Techniques | Jpn. J. Appl. Phys. | 26 | 1400-1403( ISSN 0021-4922 ) | 1987/9 | |
| K. Suzuki, T. Kominato, H. Takeuchi, K. Kuroiwa and Y. Tarui | Doping-Induced Defects in P-Doped Photo-CVD a-Si:H | Jpn. J. Appl. Phys. | 26 | L902-L904( ISSN 0021-4922 ) | 1987/6 | |
| K. Imai, K. Suzuki, T. Haga and Y. Abe | Influence of Defects on Photoluminescence of InSe | J. Appl. Phys. | 60 | 3374-3376(ISSN 0021-8979) | 1986/11 | |
| K. Suzuki, Y. Yukawa, H. Takao, K. Kuroiwa and Y. Tarui | Characterization of Photo-CVD a-Si:H Films by Thin-Film Transistor Structure | Jpn. J. Appl. Phys. | 25 | L811-L813( ISSN 0021-4922 ) | 1986/10 | |
| K. Suzuki, K. Aota, T. Aihara, T. Suzuki, K. Kuroiwa and Y. Tarui | Characterization of uc-Si:H Prepared by Photo-Chemical Vapor Deposition | Jpn. J. Appl. Phys. | 25 | L624-L626( ISSN 0021-4922 ) | 1986/8 | |
| K. Imai, K. Suzuki, T. Haga, Y. Hasegawa and Y. Abe | Phase Diagram of In-Se System and Crystal Growth of Indium Monoselenide | J. Cryst. Growth | 54 | 501-506(ISSN 0022-0248) | 1981/9 |
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki | Annealing effects of ZnO nanoparticles on the photoluminescence spectra | AIP Conference Proceedings | 1583 | 337-340 | 2014/3 | |
| S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki | Annealing effects of ZnO nanoparticles on photoliminescence spectra | 27th International Conference on Defects in Semiconductors | ICDS.2316 | 2013/7 | ||
| Hiroshi Saito, Kazuaki Imai, Kazuhiko Suzuki | Annealing effect on GaN thin films grown by MBE using ammonia cluster ions | International Workshop on Nitride Semiconductors | MoP-GR-33 | 2012/10 | ||
| K. Kyoh, Y. Ichinohe, K. Honma, Na. Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai, H. Saito, Yu. V. Korostelin | The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment | 15th International Conference on MBE | 2008/8 | |||
| Y. Ichinohe, K. Kyoh, K. Honma, T. Sawada, K. Suzuki, No. Kimura, Na. Kimura, K. Imai | Optical properties of ZnSe on GaN (0 0 0 1) grown by MBE | 15th International Conference on MBE | 2008/8 | |||
| T.Sawada, Y.Ito, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and S.Sakai | Influence of Inhomogeneous Barrier on I-V Characteristics of Metal/GaN Schottky Diodes | IPAP Conf. Series，Vol.1, The Institute of Pure and Applied Physics (ISBN4-900526-13-4); Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors | 801 - 804 | 2001/1 |
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 三島吉尊、増田貴宏、鈴木和彦、瀬戸悟 | CIP法によるTOF過渡電流波形のシミュレーション | 北海道科学大学研究紀要 | 46 | 19-26 | 2018/3 | |
| 高橋 和也、一戸 善弘，本間 一臣、今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZｎSeTe混晶の光学的評価 | 北海道工業大学研究紀要 | 38 | 97-102 | 2010/3 | |
| 本間一臣、一戸善弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁 | 光透過型ZnSe-ZnTe超格子の評価について | 北海道工業大学研究紀要 | 38 | 137-142 | 2010/3 | |
| 本間 一臣、共 佳、一戸善弘，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | InxGa1-xAs結晶基板上へのZnSeのMBE成長 | 北海道工業大学研究紀要 | 37 | 219-222 | 2009/3 | |
| 共 佳、一戸善弘，本間 一臣、今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZｎTe/GaAsの水素による表面処理 | 北海道工業大学研究紀要 | 37 | 279-283 | 2009/3 | |
| 一戸 善弘 志賀浦 豪一 今井 和明 澤田 孝幸 鈴木 和彦 木村信行 木村 尚仁 | MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果 | 北海道工業大学研究紀要 | 35 | 303-308 | 2007/3 | |
| 志賀浦 豪一、一戸 善弘、金森 真広、今井 和明、鈴木 和彦、澤田 孝幸、木村信行、 木村 尚仁 | GaAs傾斜基板上MBE－ZnTeの深い発光 | 北海道工業大学研究紀要 | 35 | 339-343 | 2007/3 | |
| 金森 真広、一戸 善弘、志賀浦 豪一、今井 和明、澤田 孝幸、鈴木 和彦、木村信行、 木村 尚仁 | ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価 | 北海道工業大学研究紀要 | 35 | 261-264 | 2007/3 | |
| 刈田 昂、鈴木 和彦、今井 和明 | VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 | 北海道工業大学研究紀要 | 35 | 237 - 244 | 2007/3 | |
| 志賀浦豪一，大橋雅浩，一戸善弘，今井和明，鈴木和彦，澤田孝幸，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnTe薄膜の熱処理効果 | 北海道工業大学研究紀要 | 34 | 201 - 205 | 2006/3 | |
| 一戸善弘，大橋雅浩，志賀浦豪一，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnSe薄膜における熱処理効果 | 北海道工業大学研究紀要 | 34 | 207 - 209 | 2006/3 | |
| 大橋雅浩，一戸善弘，志賀浦豪一，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性Ⅱ | 北海道工業大学研究紀要 | 34 | 193 - 199 | 2006/3 | |
| 大橋雅浩，今井和明，澤田孝幸，木村尚仁，鈴木和彦 | ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性 | 北海道工業大学研究紀要 | 33 | 277 - 282 | 2005/3 | |
| 田口順章、鈴木和彦 | 高抵抗CdZnTe結晶の過渡光電流の解析 | 北海道工業大学研究紀要 | 31 | 225 - 229 | 2003/3 | |
| 北村繁典，鈴木和彦，永吉 弘 | 近接昇華法で育成された太陽電池用CdTe薄膜の結晶性の評価 | 北海道工業大学研究紀要 | 30 | 221 - 226 | 2002/3 | |
| 岩田昭宏，北村繁典，鈴木和彦 | 室温動作型放射線検出器用CdTe：ClとCdZnTeのキャリア輸送特性の比較 | 北海道工業大学研究紀要 | 29 | 147 - 154 | 2001/3 | |
| 鈴木和彦、備後雅樹、瀬戸 悟 | 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91Zn0.09TeのPL特性 | 北海道工業大学研究紀要 | 28 | 149-155 | 2000/3 | |
| 鈴木和彦，西端宏至，芳賀哲也，小田島晟 | 溶媒法によるCd1-xZnxTe (x < 0.2) の結晶成長 | 北海道工業大学研究紀要 | 21 | 1993/3 | ||
| 鈴木和彦，熊崎賢次，小田島晟 | GF法により成長した放射線検出器用CdTe結晶の評価 | 北海道工業大学研究紀要 | 20 | 89-95 | 1992/3 | |
| K. Kuroiwa, K. Suzuki and Y. Tarui | Phosphorus Doping Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Deposited by Mercury Sensitized Photo-CVD | Annual Research Report of SMERL Tokyo Univ. Agr. & Tech. 1986/1987 | 4 | 10-21 | 1988/3 | |
| K. Kuroiwa, K. Suzuki, H. Takeuchi and Y. Tarui | Optical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon by Photo-Chemical Vapor Deposition | Annual Research Report of SMERL Tokyo Univ. Agr. & Tech. 1984/1985 | 3 | 16-22 | 1986/3 |
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| K. Suzuki, S. Seto | Effects of infrared illumination on the transport properties of CdTe detectors | 2019 IEEE NSS MIC RTSD | R04-417 | 2019/10 | ||
| 瀬戸悟、有馬 佳宏、山田 悟、鈴木和彦 | 気相法をベースとしたペロブスカイト太陽電池の作製プロセス | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | 11a-S221-4 | 2019/3 | ||
| K. Suzuki， Y. Mishima， T. Masuda， S. Seto | Simulation of the transient current of radiation detector materials by the constrained profile interpolation method | 2018 IEEE NSS MIC RTSD | R-08-415 | 2018/11 | ||
| 三島吉尊，増田貴宏，鈴木和彦，瀬戸 悟 | CIP 法による TOF 過渡電流波形のシミュレーション | 第65回応用物理学会春季学術講演会 | 18p-P-6-17 | 2018/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦 | III族元素をドープした高抵抗ZnTe結晶の深い準位からの発光 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 22a-H116-5 | 2016/3 | ||
| Satoru Seto and Kazuhiko Suzuki | Photoluminescence of high-resistivity ZnTe crystals doped with gallium and indium | The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials | MoP-25 | 2015/9 | ||
| Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada and Satoru Seto | Electric field inhomogeneity in ohmic-type CdTe detectors measured by time-of-flight technique | The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials | MoD-5 | 2015/9 | ||
| 鈴木和彦、瀬戸悟、澤田孝幸 | CdTe系検出器におけるSCP過渡電流波形 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 13ｐ-A19-2 | 2015/3 | ||
| K. Suzuki, T. Sawada, S. Seto | Effect of intense illumination on the time-of-flight current waveforms of detector materials | 2014 IEEE NSS/MIC/RTSD, Seatle USA | R08-34 | 2014/11 | ||
| Alsalman Ali, 澤田孝幸、鈴木和彦、増田貴宏 | 表面処理によるNi/AlGaN/GaNショットキー特性への影響（２） | 第75回応用物理学会秋季学術講演会 | 19p-PB2-2 | 2014/9 | ||
| 鈴木 和彦、M. Shorohov、澤田 孝幸 | 飛行時間法によるTlBrのドリフト移動度 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 19p-F1-7 | 2014/3 | ||
| Alsalman Ali、澤田 孝幸、鈴木 和彦、増田 貴宏 | 表面処理によるNi/AlGaN/GaNショットキー特性への影響 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 18ｐ－PG3-17 | 2014/3 | ||
| K. Suzuki, M. Shorohov, S. Set, T. Sawada | Time-of-Flight Measurements on TlBr Crystals | 2013 IEEE NSS MIC RTSD Seoul Korea | R04-4 | 2013/10 | ||
| K. Suzuki, Y. Ichinohe, T. Sawada, K. Imai, S. Seto | Time-of-flight measurements on Schottky CdTe nuclear detectors | The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materilas | Tu-B2 | 2013/9 | ||
| S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki, K. Matsumoto, S. Nakamura, M. Adachi | Effects of thermal expansion in ZnTe epilayers on GaAs ansd InP substrates | The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materilas | Tu-P10 | 2013/9 | ||
| 鈴木 和彦、澤田 孝之、 瀬戸 悟 | ショットキーCdTe検出器のTOF測定 | 第60回応用物理学会春季学術講演会 | 29a-PA1-1 | 2013/3 | ||
| 斉藤 博、 今井 和明、 鈴木 和彦 | NH3-CIBを用いてMBE成長したAlN, GaN/Al2O3薄膜の格子定数 | 第60回応用物理学春季学術講演会 | 28p-G21-12 | 2013/3 | ||
| Kazuhiko Suzuki, Takayuki Sawada, Satoru Seto | Temperature Dependent Measurements of Time-of-Flight Current Waveforms in Schottky CdTe Detectors | 2012 IEEE NSS/MIC/RTSD Anaheim USA | R04-4 | 2012/11 | ||
| 木村 尚仁，鈴木 和彦 ，今井 和明，横山 和義 ，矢神 雅規，福原 朗子 | 理科モノづくり教室開催による 地域児童への科学技術啓発の取り組み | 工学教育研究講演会 | 214 | 2012/8 | ||
| 鈴木和彦、澤田孝幸、今井和明、瀬戸悟 | CdTe系放射線検出器のTime-of-Flight測定 | 第59回応用物理学関係連合講演会 | 17ｐ-C4-1 | 2012/3 | ||
| 鈴木和彦、澤田孝幸、今井和明 | 放射線検出器用高抵抗半導体材料のTOF測定 | 第47回応用物理学会北海道支部学術講演会 | C-32 | 2012/1 | ||
| 木村 尚仁，鈴木 和彦，今井 和明，矢神 雅規 | リフレッシュ理科教室による理科啓発活動の取り組み | 第４７回応用物理学会北海道支部・第８回日本光学会北海道地区合同学術講演会 | 100 | 2012/1 | ||
| K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai | TOF measurements on Sctottky Type CdTe Detectors | 2011 IEEE NSS/MIC/RTSD Valeicia Spain | R12-8 | 2011/10 | ||
| K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai | Effect of DC Bias Field on the Time-of-Flight Current Waveforms of CdTe and CdZnTe Detectors | 2010 IEEE NSS/MIC/RTSD Knoxville, Tennessee | R07-4 | 2010/11 | ||
| 高橋和也，一戸善弘，本間一臣，今井和明，鈴木和彦. | MBE-ZnSeTe混晶の高濃度Teドープ | 第57回応用物理学連合講演会 | 19p-TW -4 | 2010/3 | ||
| 本間一臣，一戸善弘，高橋和也，山本泰輔，今井和明，木村尚仁，木村信行，澤田孝幸，鈴木和彦 | 光透過型ZnSe-ZnTe DSB 超格子の評価 | 第70回応用物理学会学術講演会 | 8a-N-1 | 2009/9 | ||
| 一戸善弘，本間一臣，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | ZnSe - ZnTe歪超格子のエネルギーバンド | 第70回応用物理学会学術講演会 | 8a-N-2 | 2009/9 | ||
| 一戸善弘，共 佳，本間一臣，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | ZnSe-ZnTe超格子の波長変換効果と電子バンド構造 | 第56回応用物理学関係連合講演会 | 30p-J-9 | 2009/3 | ||
| K. Suzuki and H. Shiraki | Evaluation of Surface Recombination Velocity on CdTe Radiation Detectors by Time-of-Flight Measurements | 2008 IEEE NSS/MIC/RTSD R12-4 Dresden Germany | 587 - 588 | 2008/10 | ||
| 共 佳，一戸善弘，本間一臣，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | ZnTeの水素による表面処理III | 第69回応用物理学会学術講演会 | 4p-CF-8 | 2008/9 | ||
| 共 佳，一戸善弘，金森真宏，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村直仁 | ZnTeの水素による表面処理 II | 第55回応用物理学術講演会 | 29a-P10-4 | 2008/3 | ||
| 一戸善弘，金森真広，共 佳，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | 歪ZnSeにおけるフォトルミネッセンス | 第55回応用物理学術講演会 | 29a-P10-6 | 2008/3 | ||
| T. Karita, K. Suzuki, Y. Ichinohe, S. Seto, T. Sawada, and K. Imai | MBE Growth of ZnSe Films on Lattice-Matched InxGa1-xAs Substrates | 13th International Conference on II-VI Compounds Th-P-13 | 319 - 319 | 2007/9 | ||
| S. Seto, S. Yamad, K. Suzuki, and Y. Yoshino | Emissions from deep levels in hydrothermal grwon ZnO substarates | 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-132 | 283 - 283 | 2007/9 | ||
| G. Shigaura, M. Kanamori, Y. Ichinohe, Na Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai | Photoluminescence of periodic alloy of ZnSeTe grown by MBE | 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-84 | 390 - 390 | 2007/9 | ||
| G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, and K. Imai | Photoluminescence of modulation doped ZnSe:Te grown by MBE | The 13th International Conference on II-VI Compounds Tu-P-100 | 406 - 406 | 2007/9 | ||
| 一戸善弘，大橋雅浩，志賀浦豪一，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnSe/GaAsにおける結晶性の熱処理効果 | 第53回応用物理学関係連合講演会，I/313 | 2006/3 | |||
| 志賀浦豪一，大橋雅浩，一戸善弘，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnTe/GaAsにおけるフォトルミネッセンスの熱処理効果 | 第53回応用物理学関係連合講演会，I/316 | 2006/3 | |||
| 刈田 昴，鈴木和彦，今井和明 | VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 | 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集，23P−ZD−18 | 2006/3 | |||
| 大橋雅浩，一戸善弘，志賀浦豪一，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性Ⅱ | 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会，A−16 | 2006/1 | |||
| 一戸善弘，志賀浦豪一，大橋雅浩，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnSe薄膜における熱処理効果 | 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会，A−17 | 2006/1 | |||
| 志賀浦豪一，大橋雅浩，一戸善弘，今井和明，澤田孝幸，鈴木和彦，木村信行，木村尚仁 | MBE-ZnTe薄膜の熱処理効果 | 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会，A−18 | 2006/1 | |||
| 刈田 昴，鈴木和彦，今井和明 | VGF法によるInxGa1-xAsの結晶成長 | 第41回応用物理学会北海道支部学術講演会予稿集，A−9 | 2006/1 | |||
| T.SAWADA, N.KIMURA, K.SUZUKI, K.IMAI, S.W.KIM and T.SUZUKI | Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Structures and Influence of Thermal Annealing | Abstracts of 6th International Conference on Nitride Semiconductors, TuP-110 | 2005/8 | |||
| 瀬戸 悟，松本健太郎，稲部勝幸，鈴木和彦 | GaAsおよびInP基板上に成長したZnTe薄膜の熱歪み | 第52回応用物理関係連合講演会 | 31a-ZN5 | 2005/3 | ||
| 大橋雅浩，一戸善弘，志賀浦豪一，今井和明，澤田孝幸，木村尚仁，鈴木和彦 | ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性 | 第52回応用物理学関係連合講演会，I/336 | 2005/3 | |||
| H.NAGAYOSHI and K.SUZUKI | Growth of thick CdTe films by close-space-cublimation technique | 2004 IEEE NSS/MIC/RTSD Rome R11-5 | 2004/11 | |||
| K.SUZUKI, S.SETO, T.SAWADA and K.IMAI | Photomagnetoelectric effect of Cd-based detector materilas | 2004 IEEE NSS/MIC/RTSD Rome R11-31 | 2004/11 | |||
| M.NIRAURA, K.YASUDA, K.TAKAGI, H.KUSAMA, M.TOMINAGA, Y.YAMAMOTO, Y.AGATA and K.SUZUKI | Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe layers on n+-GaAs Substrates | The 2004 U.S. Woprkshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas | 2004/10 | |||
| 瀬戸 悟， 鈴木和彦 | Si(111)基板上に成長したCdSエピタキシャル膜の欠陥が関与したY発光 | 第51回応用物理学関係連合講演会29ｐ-P10-3 | 2004/3 | |||
| 草間啓年，内田 圭，中西祐太郎，マダンニラウラ，安田和人，鈴木和彦 | MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XI) | 第51回応用物理学関係連合講演会29ｐ-P12-5 | 2004/3 | |||
| T.Sawada, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and K.Tanahashi | Interpretation of Current Transport Properties at Ni/n-GaN Schottky Interfaces | Proc. of 31st Conf. on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces，We0940 | We0940 | 2004/1 | ||
| K. Suzuki, S. Seto, T. Sawada and K. Imai | Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe | 11th International Conference on II-VI Compounds | Th-4.35 | 2003/9 | ||
| M. Niraula, K. Yasuda, T. Mabuchi, Y. NakanishivK. Uchida, Y. Agata and K. Suzuki | Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-ray Imaging Detector | The 2003 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas | 2003/9 | |||
| Y. Sasaki, N. Takojima, Y. Chikarayumi, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki and K. Imai | The origin of free exciton-like emission in ZnSeTe alloy | 11th International Conf. on II-VI Compounds，Niagara Falls | Mo-5.48 | 2003/9 | ||
| Y. Sasaki, Y. Chikarayumi, M. Ohashi, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai, H. Saito, P. A. Trubenko and Yu. V. Korostelin | Light up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices grown on ZnSe by MBE | 11th International Conf. on II-VI Compounds，Niagara Falls | Mo-5.49 | 2003/9 | ||
| Y. Sasaki, M. Ohashi, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai and H. Saito | Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment | 11th International Conf. on II-VI Compounds，Niagara Falls | Tu-5.20 | 2003/9 | ||
| 神力盛二郎，佐々木隆紀，猪股貴裕，棚橋研二，元井和司，鈴木和彦 | Co/Cu多層膜の磁気抵抗に与える対称，非対称Ni層挿入効果 | 応用物理学会学術講演会公演予稿集，No.1 | 136 - | 2003/8 | ||
| T.Sawada, Y.Izumi, N.Kimura, K.Suzuki, K.Imai and K.Tanahashi | Influence of Oxygen-Ambient Thermal Annealing on Electrical Properties of Ni/n-GaN，AlGaN Schottky Contacts | Technical Digest of 5th Int. Conf. on Nitride Semiconductors | 379 - | 2003/5 | ||
| 佐々木 陽介、今井 和明、澤田 孝幸、木村 尚仁、鈴木 和彦、坪野 功、斉藤 博 | 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II | 第38回応用物理学会北海道支部/第8回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会 | A-20 | 2003/1 | ||
| 佐々木 陽介、今井 和明、澤田 孝幸、木村 尚仁、鈴木 和彦、坪野 功 | 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果II | 2002年秋季第63回応用物理学術講演会（新潟大学） | I-269 | 2002/9 | ||
| 鈴木和彦，田口順章，北村繁典，瀬戸 悟 | 放射線検出器用材料のドリフト移動度測定II | 第49回応用物理学連合講演会 29aYC-10 | 2002/3 | |||
| 北村 繁典，鈴木 和彦，永吉 弘 | 近接昇華法で作製されたCdTe薄膜結晶 | 第37回応用物理学会北海道支部/第7回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会A-15 | 2002/1 | |||
| 田口順章，北村繁典，鈴木和彦 | HPB法で成長したCdZnTe結晶のTOF測定 | 第37回応用物理学会北海道支部/第7回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会B-13 | 2002/1 | |||
| K. Suzuki, S. Seto, . Sawada and K. Imai | Carrier transport properties of HPB Cd0.9Zn0.1Te and THM CdTeCl | The 12th International workshop on room temperature semiconductor detectors (invited)，R11-1 | 2001/11 | |||
| K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai, M.Adachi and K.Inabe | Optical characterization of nuclear detector materials | 10th International Conference of II-VI Compounds，Tu-P01 | Tu-P01 | 2001/9 | ||
| S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe | Excitonic emissions in ZnTe/GaAs films grown by hot wall epitaxy | 10th International Conference of II-VI Compounds，Th-P06 | Th-P06 | 2001/9 | ||
| S. Seto, S. Yamada, K. Miyakawa and K. Suzuki | Crystalline structure of CdTe grown directly on hydrogen-terminated Si(111) by hot-wall epitaxy | The 13th International Conference on Crystal Growth 03a-SB3-07 | 2001/7 | |||
| T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, S. Sakai | Characterization of Metal/GaN Schottoky Interfaces Based on I-V Characteristics | 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces Sapporo | 244 | 2001/6 | ||
| T. Sawada, Y. Ito, Y. Izumi, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki | Characterization of Metal/p-GaN Schottoky Interfaces by I-V-T Measurements | 43rd Electronic Materials Conference 43rd Indiana | 18-19 | 2001/6 | ||
| 瀬戸 悟，持田夏樹，鈴木和彦，稲部勝幸 | HWE法によるGaAs(100)基板上へのZnTe成長 | 第48回応用物理学関係連合講演会，29a-K-11 | 2001/3 | |||
| K. Suzuki, S. Seto, T.Sawada, K. Imai, M. Adachi and K. Inabe | Photoluminescence measurements on undoped CdZnTe grown by high pressure Bridgman method | The 2000 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Albuquerque | 59-62 | 2000/10 | ||
| T.Sawada, Y.Ito, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki and S.Sakai | Influence of Inhomogeneous Barrier on I-V Characteristics of Metal/GaN Schottky Diodes | Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors -IWN2000-，TA3-4 | 104 - 105 | 2000/9 | ||
| S. Seto, K. Suzuki, M. Adachi and K. Inabe | Dynamics of bound excitons in compensated high-resistivity CdTe | Proceedings of Yamada Conference LIV，MoP-20. The 9th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors | 2000/9 | |||
| 岩田 明宏、北村 繁典、鈴木 和彦、瀬戸 悟 | 放射線検出器用材料のドリフト移動度測定 | 2000年秋季第61回応用物理学術講演会、（北海道工業大学) | 5a-V-6 | 2000/9 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸、黒田 隆、南 不二雄 | Cd1-xZnxTeとCd1-xMnxTeのポテンシャル揺らぎによるＰＬ発光への影響 | 2000年春季第47回応用物理関係連合講演会 | 31p-M-4 | 2000/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦 | ドナーアクセプタ対発光強度の温度変化 | 第10回光物性研究会論文集 | IA-11 、41-44 | 1999/11 | ||
| Kazuhiko Suzuki, A. Iwata, S. Seto, T. Sawada, K. Imai | Drift Mobility Measurements on Undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique | 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto | 29 | 1999/11 | ||
| S. Seto, K. Suzuki, V. Abastillas, Jr. and K. Inabe | Compensating related defects in In-doped bulk CdTe | 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto | 25 | 1999/11 | ||
| S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki | Heteroepitaxy of CdTe on Hydrogen-Terminated Si (111) | 9th International Conference on II-VI Compounds Kyoto | 26 | 1999/11 | ||
| 岩田 明宏、鈴木 和彦 | THM法により成長した塩素ドープCdTe結晶のドリフト移動度測定 | 電気関係学会北海道支部連合講演会 | 129 | 1999/10 | ||
| 備後 雅樹、鈴木 和彦、瀬戸 悟 | 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91 Zn0.09TeのＰＬ特性 | 電気関係学会北海道支部連合講演会 | 130 | 1999/10 | ||
| T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa, S. Sakai | Electrical Properties of Metal/GaN and SiO2/GaN Interfaces and Effects of Thermal Annealing | Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Karuizawa | B4-3 | 1999/10 | ||
| 鈴木 和彦、岩田 明宏、備後 雅樹、瀬戸 悟 | 無添加CdZnTe結晶のドリフト移動度測定 | 1999年秋季第60回応用物理学術講演会（甲南大学） | 1p-ZB-4 | 1999/9 | ||
| K. Suzuki, A. Iwata, M. Bingo, T. Sawada and K. Imai | Transport Properties of undoped Cd0.9Zn0.1Te Grown by High Pressure Bridgman Technique | The 1999 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Las Vegas | 59-62 | 1999/9 | ||
| S. Seto, S. Yamada, K. Suzuki | Structural and Optical Characterization of CdTe on CdS Grown by Hot-Wal Vacuum Evaporation | 11 th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-11) | P-I-85 | 1999/9 | ||
| 鈴木 和彦、岩田 明宏、備後 雅樹、瀬戸 悟 | 無添加CdZnTe結晶のドリフト移動度測定 | 1999年秋季第60回応用物理学術講演会 | 1p-ZB-4 | 1999/9 | ||
| 鈴木 和彦、瀬戸 悟、U. Neukirch, J. Gutowski | Cd1-xZnxTeの時間分解フォトルミネッセンス測定 | 1999年春季第46回応用物理関係連合講演会（東京理科大） | 31p-M-4 | 1999/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 | CdTe中の束縛励起子発光の時間分解スペクトル | 1999年春季第46回応用物理関係連合講演会（東京理科大） | 28a-X-6 | 1999/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 | CdTeにおける束縛励起子発光の時間分解スペクトル | 平成10年度日本物理学会・応用物理学会北陸・信越支部合同学術講演会（富山大学） | VI-1 | 1998/12 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、安達 正明、稲部 勝幸 | 高抵抗In添加CdTeにおける束縛励起子発光の時間分解スペクトル | 第９回光物性研究会（大阪市立大） | 11B-46 | 1998/11 | ||
| S. Seto, S. Yamada and K. Suzuki | Growth kinetics and structual characterizations of polycrystalline CdTe films grown by hot-wall vacuum evaporation | Abstract of 9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference | 429-430 | 1998/11 | ||
| K. Suzuki, S. Seto, K. Imai, T. Sawada, U. Neukirch, J. Gutowski | Effect of compositional disorder on the optical properties of Cd1-xZnxTe | The 1998 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials Charleston | 153-156 | 1998/10 | ||
| T. Sawada, M. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, T. Tomozawa | Electrical properties of metal/n-GaN and PCVD SiO2/n-GaN interfaces”, Extended Abstract of 25th International Conference on Compound Semiconductor | Extended Abstract of 25th International Conference on Compound Semiconductor | Fr1A-4 | 1998/10 | ||
| K. Watanabe, Y. Chikarayumi, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada, K. Imai | Up-conversion effect of ZnSe-ZnTe superlattices with modulated periodicity | 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Cannes France) | 530-531 | 1998/9 | ||
| Y. Yamagata, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki | Potential Barrier Formed at n-ZnSe Regrwoth Homointerface by MBE | 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Cannes France) | 484-485 | 1998/9 | ||
| Y. Yamagata, K. Fujiwara, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, I. Tsubono | Electrical Properties of ZnSe/ZnSe Homointerfaces Formed by MBE Regrowth Process | Extended Abstract of the 1997 International Conference of Solid State device and Materials (Hamamatsu) | 196-197 | 1997/9 | ||
| K. Suzuki, U. Neukirch, J. Gutowski, N. Takojima, T.Sawada and K. Imai | Recombination Kinetics of S1 and S2 Bands in ZnSe-ZnTe Superlattices | 8th International Conference on II-VI Compounds (Grenoble France) | Th-p41 | 1997/8 | ||
| T. Sawada, Y. Yamagata, K. Fujiwara, K. Imai, I. Tsubono, K. Suzuki | Electrical Characterization of MBE-ZnSe/GaAs Heterointerface and Regrowth ZnSe/ZnSe Homointerface | 39th Electronic Materials Conference | V6 | 1997/6 | ||
| K. Suzuki, K. Wundke, G. Bley, U. Neukirch, J. Gutowski | Time resolved photoluminescence measurements on ZnSe-ZnTe superlattices | Deutsche Physikalische Gesellschaft Frühjahrstagung des AKF, (Münster Germany) | HL11.39 | 1997/3 | ||
| T. Sawada, K. Fujiwara, Y. Yamagata, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura | Formation and control of MBE-ZnSe/GaAs heterointerface and regrown homointerface | 2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa). | B1-6 | 1996/10 | ||
| Y. Yamagata, K. Fujiwara, T. Sawada, K. Imai, K. Suzuki, N. Kimura, I Tsubono | Characterization and Control of MBE ZnSe/GaAs (100) Substrate Interface and Regrowth ZnSe/ZnSe Homointerface | Extended Abstract of the 1996 International Conference of Solid State device and Materials, (Yokohama) | 76-78 | 1996/8 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、田中 明和 | CdTeの有効質量ドナーの２電子遷移発光 | 1996年春季第43回応用物理関係連合講演会（東洋大） | 26a-SZN-10 | 1996/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦 | CdTe系X線・γ線検出器の現状と今後の展開 | 1996年春季第43回応用物理関係連合講演会（東洋大） | 27p-K-6/0 | 1996/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦 | CdTe中の有効質量ドナー | 平成7年度日本物理学会・応用物理学会北陸支部合同学術講演会 | 1995/12 | |||
| K.Suzuki, S. Seto S. Dairaku, N. Takojima, T. Sawada and K. Imai | Drift Mobility and Phtoluminescence Measurements on High Resistivity Cd1-xZnxTe Crystals Grwon from Te-Rich Solution | The 1995 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materilas Baltimore | 77-79 | 1995/10 | ||
| K. Suzuki, K. Inagaki, S. Seto, I. Tsubono, N. Kimura, T. Sawada and K. Imai | Acceptor Defects and Annealing Behavior in Indium Doped Cd1-xZnxTe (x> 0.7) | 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) | Th-P3 | 1995/8 | ||
| K. Suzuki, N. Akita, S.Dairaku, S. Seto, T. Sawada and K. Imai | Drift Mobilities in Chlorin Doped Cd0.8Zn0.2Te | 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) | Tu-P92 | 1995/8 | ||
| N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki, T. Sawada and K. Imai, | Emission Mechanism of Blue and Green Bands in Ultra-thin ZnSe-ZnTe Superlattices | 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices (Edinburgh, UK) | Tu-P24 | 1995/8 | ||
| T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai and K. Suzuki | Effect of GaAs Pretreatment on Electrical Properties of MBE-ZnSe/GaAs Substrate Interfaces | 37th Electronic Materials Conference (Baltimore, USA) | T5 | 1995/8 | ||
| 秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦、小田島 晟、” | 溶媒法で成長した半絶縁性Cd1-xZnxTe結晶のTOF測定(II) | 1995年春季第42回応用物理関係連合講演会（東海大） | 30a-ZL-9 | 1995/3 | ||
| 秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦、小田島 晟 | 溶媒法で成長した半絶縁性Cd1-xZnxTe結晶のTOF測定 | 1994年秋季第55回応用物理学術講演会（明城大学） | 21a-F-8 | 1994/9 | ||
| 稲垣 光一、秋田 直人、鈴木 和彦、瀬戸 悟、小田島 晟 | 溶媒法で成長したIn添加Cd1-xZnxTe結晶の熱処理効果 | 1994年秋季第55回応用物理学術講演会（明城大学） | 21a-F-7 | 1994/9 | ||
| N. Takojima, Y. Ishizuka, I. Tsubono, N. Kimura, K. Suzuki and K. Imai | Green Emission Enhanced by Te Isoelectronic Traps in MBE ZnSe | 8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy | B10-13 | 1994/8 | ||
| 稲垣 光一、秋田 直人、川島 嘉史、中島 修、山本 直孝、鈴木 和彦 | 溶媒法で成長したCd1-xZnxTeのアドミタンススペクトロスコピー | 1994年春季第41回応用物理関係連合講演会（明治大学） | 30p-Z-4 | 1994/3 | ||
| 瀬戸 悟、鈴木 和彦、田中 明和 | InドープCdTeのフォトルミネッセンス評価 | 1994年春季第41回応用物理関係連合講演会（明治大学） | 30p-P-8 | 1994/3 | ||
| 秋田 直人、稲垣 光一、鈴木 和彦 | 溶媒法で成長したInドープCdTe結晶 | 1993年秋季第54回応用物理学術講演会（北大） | 28aSZM19 | 1993/9 | ||
| K. Suzuki, N. Akita, K. Inagaki, N. Nishihata, N. Takojima and S. Dairaku | Alloy Broadening in Photoluminescence Spectra of Cd1-xZnxTe Crystals Grown From Te Solution | 6th International Conference on II-VI Compounds and Related Optoelectronic Materilas | PA05 | 1993/9 | ||
| 瀬戸 悟、山田 悟、鈴木 和彦 | 高抵抗CdTeのドナーアクセプターペア発光強度の温度依存性 | 1998年春季第45回応用物理関係連合講演会（東京工科大） | 30p-T-3 | 1993/3 | ||
| 鈴木 和彦、西端 宏至、今井 和明、熊崎 賢次 | 溶媒法で成長したCd1-xZnxTe結晶のPL特性 | 1993年春季第40回応用物理関係連合講演会（青学大） | 1p-ZD-7 | 1993/3 | ||
| 西端 宏至、秋田 直人、稲垣 光一、後藤 智宏、鈴木 和彦、芳賀 哲也 | 溶媒法によるCd1-xZnxTeの結晶成長 | 平成4年度電気関係学会北海道支部連合大会（北見工大） | 99 | 1992/11 | ||
| 西端 宏至、鈴木 和彦、芳賀 哲也 | 溶媒法によるCd1-xZnxTeの結晶成長 | 1992年秋季第53回応用物理学術講演会（関西大学） | 16p-ZK-18 | 1992/10 | ||
| 鈴木 和彦、田中 明和 | GF法で成長した半絶縁性CdTe結晶の正孔のμτ積 | 1992年春季第39回応用物理関係連合講演会（日本大学） | 29-pS-4/III | 1992/3 | ||
| 鈴木 和彦 | GF法で成長したCdTe結晶の欠陥分布 | 1992年第27回応用物理学会北海道支部学術講演会（北大） | A-4 | 1992/1 | ||
| S. Seto, A. Tanaka, K. Suzuki and M. Kawashima | Photoluminescence and Annealing Behavior of Ga-Doped CdTe Crystals | 4th International Conference on II-VI Compounds Berlin(West) | Mo-3-6 | 1989/9 | ||
| K. Suzuki, S. Seto, A. Tanaka and M. Kawashima | Carrier Drift Mobilities and PL Spectra of High Resistivity Cadmium Telluride | 4th International Conference on II-VI Compounds Berlin(West) | Mo-P-60 | 1989/9 | ||
| 鈴木 和彦、瀬戸 悟、正 義彦、田中 明和、川島 光郎 | 塩素ドープCdTeのTOF測定 | 1989年春季第36回応用物理関係連合講演会（千葉大） | 4p-ZM-8 | 1989/3 | ||
| 高尾 裕昭、中鉢 浩幸、鈴木 和彦、岡 哲史、松井 正宏、黒岩 紘一、垂井 康夫 | 光CVD高誘電率絶縁膜を用いたTFT | 1987年秋季第48回応用物理学術講演会（名大） | 1987/9 | |||
| 鈴木 和彦、石禾、武田、青木、黒岩 紘一、垂井 康夫 | 光ＣＶＤa-Si:H膜のＰドーピング特性(2) | 1987年秋季第48回応用物理学術講演会（名大） | 19p-C-11 | 1987/9 | ||
| 鈴木 和彦、小湊 俊海、竹内 洋、岩崎、黒岩 紘一、垂井 康夫 | 光ＣＶＤa-Si:H膜のＰドーピング特性 | 1987年春季第34回応用物理関係連合講演会（早大） | 29a-F-2 | 1987/3 | ||
| 鈴木 和彦、竹内 洋、黒岩 紘一、垂井 康夫 | 光ＣＶＤa-Si:Hの低エネルギールミネッセンス | 1986年秋季第47回応用物理学術講演会（北大） | 30a-S-7 | 1986/9 | ||
| 鈴木 和彦、竹内 洋 洋、吉野 寛一、黒岩 紘一、垂井 康夫 | 光ＣＶＤa-Si:H膜の光学的特性評価 | 1986年春季第33回応用物理関係連合講演会（日大） | 2p-E-5 | 1986/3 | ||
| 湯川 洋介、鈴木 和彦、高尾 裕昭、鈴木 雅、黒岩 紘一、垂井 康夫 | TFT構造によるa-Si:H膜の評価 | 1986年春季第33回応用物理関係連合講演会、（日大） | 1986/3 | |||
| 鈴木 和彦、青田 克己、相原 孝章、鈴木 雅、垂井 康夫 | 光ＣＶＤ μC-Si:H膜の作製 | 1985年秋季第46回応用物理学術講演会（京都大学） | 4p-ZA-14 | 1985/10 | ||
| 芳賀 哲也、鈴木 仁、阿部 寛、田中 明和、鈴木 和彦 | イオンチャネリングによるCdTe単結晶の極性の決定 | 1985年秋季第46回応用物理学術講演会（於 京都大学） | 1985/10 | |||
| 鈴木 和彦、正 義彦、田中 明和 | ブリッジマン法によるCdTe結晶の成長方位 | 1985年春季第32回応用物理関係連合講演会（青学大） | 1p-Z-3 | 1985/3 | ||
| 鈴木 和彦、今井 和明、芳賀 哲也、阿部 寛 | イオンチャネリングによるInSeの結晶評価 | 1981年応用物理学会北海道支部学術講演会（北大） | B-14 | 1981/1 | ||
| 鈴木 和彦、芳賀 哲也、今井 和明、西脇 修治、阿部 寛 | InSeの結晶成長と結晶評価 | 1980年秋季第41回応用物理学術講演会（名工大） | 19p-M-10 | 1980/10 |
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 斉藤博、今井和明、大石正和、澤田孝幸、鈴木和彦 | 入門固体物性（共著） | 共立出版株式会社ISBN4-320-03341-8 | 1997/1 |
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
|---|
| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
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| 著者 | タイトル | 発行元 | 巻 | 号 | ページ | 発表年月日 |
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| 木村尚仁，鈴木和彦，今井和明，矢神雅規，福原朗子 | 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告－でんきモノづくりの時間－ | 応用物理教育 | 33 | 33 | 31-33 | 2009/7 |
| 鈴木 和彦 | 温度勾配法で育成した高抵抗CdTe結晶の飛行時間測定 | 電材研技報 (ISSN 0911-2626) | 8 | 1 | 2-10 | 1990/4 |